[发明专利]用于针对双图案化过程进行光刻验证的方法和系统

权利要求书

1.一种用于针对掩膜布局的双图案化过程进行光刻验证而不进 行所述掩膜布局的全轮廓仿真的方法，所述方法包括：

接收所述双图案化过程的第一光刻步骤中使用的第一掩膜和所 述双图案化过程的第二光刻步骤中使用的第二掩膜，其中通过划分 所述掩膜布局来获得所述第一掩膜和所述第二掩膜；

标识和选择评估点；

接收所述掩膜布局上的所述评估点；

确定所述评估点是只位于所述第一掩膜的多边形上、只位于所 述第二掩膜的多边形上还是位于别处；

基于所述评估点是只位于所述第一掩膜的多边形上、只位于所 述第二掩膜的多边形上还是位于别处，在用于所述掩膜布局的所述 评估点计算印刷指示符；以及

使用所述印刷指示符来确定用于所述掩膜布局的轮廓。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在用于所述掩膜布局的所 述评估点计算所述印刷指示符包括：

如果所述评估点只位于所述第一掩膜的多边形上，则使用与所 述第一光刻步骤关联的第一光刻模型来在所述评估点计算所述印刷 指示符；

如果所述评估点只位于所述第二掩膜的多边形上，则使用与所 述第二光刻步骤关联的第二光刻模型来在所述评估点计算所述印刷 指示符；以及

如果所述评估点既不是只位于所述第一掩膜的多边形上，也不 是只位于所述第二掩膜的多边形上，则使用所述第一光刻模型和所 述第二光刻模型二者来在所述评估点计算所述印刷指示符。

3.根据权利要求2所述的方法，其中使用所述第一光刻模型来 在所述评估点计算所述印刷指示符包括：

使用所述第一光刻模型，在所述评估点计算第一强度值和第一 阈值；以及

通过确定所述第一强度值与所述第一阈值之间的差值来计算所 述印刷指示符。

4.根据权利要求2所述的方法，其中使用所述第二光刻模型来 在所述评估点计算所述印刷指示符包括：

使用所述第二光刻模型，在所述评估点计算第二强度值和第二 阈值；以及

通过确定所述第二强度值与所述第二阈值之间的差值来计算所 述印刷指示符。

5.根据权利要求2所述的方法，其中使用所述第一光刻模型和 所述第二光刻模型二者来计算所述印刷指示符包括：

使用所述第一光刻模型，在所述评估点计算第一强度值和第一 阈值；

使用所述第二光刻模型，在所述评估点计算第二强度值和第二 阈值；

计算在所述第一强度值与所述第一阈值之间的第一差值；

计算在所述第二强度值与所述第二阈值之间的第二差值；

如果所述第一差值大于所述第二差值，则将所述印刷指示符设 置成等于所述第一差值；以及

如果所述第二差值大于所述第一差值，则将所述印刷指示符设 置成等于所述第二差值。

6.根据权利要求2所述的方法，其中如果所述评估点既不是只 位于所述第一掩膜的多边形上，也不是只位于所述第二掩膜的多边 形上，则所述评估点位于：

在所述第一掩膜的多边形与所述第二掩膜的多边形之间的重叠 区域；或者

开放空间区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括：

接收所述掩膜布局上的一组评估点，其中所述一组评估点用来 对所述掩膜布局内包含光刻热点的区域进行采样；以及

在所述一组评估点确定所述印刷指示符。

8.根据权利要求7所述的方法，其中使用所述印刷指示符来确 定所述掩膜布局的轮廓还包括使用针对所述一组评估点计算的所述 印刷指示符来确定用于所述掩膜布局的轮廓，所述轮廓代表预期印 刷于晶片上的图案形状。

9.根据权利要求1所述的方法，其中标识和选择所述评估点包 括：

识别所述掩膜布局内不包含光刻热点的区域；以及

在所述识别的区域中选择稀疏评估点。