[发明专利]包括槽和槽内的导电结构的电子器件以及形成该电子器件的方法

权利要求书

1.一种形成电子器件的方法，其包括以下步骤：

提供包括第一层、阱区、栅电极和掩埋掺杂区的工件，其中：

所述第一层具有主表面；

所述阱区与所述主表面相邻；

所述栅电极布置在所述主表面上，且

所述掩埋掺杂区与所述主表面和所述阱区隔开；

形成朝所述掩埋掺杂区延伸的槽，其中，所述第一层的一部分位 于沿着所述槽的侧壁的位置；

沿着所述槽的所述侧壁来掺杂所述第一层的所述一部分，以形成 侧壁掺杂区，其中，用于所述侧壁掺杂区的掺杂剂被沿着所述槽的所 述侧壁引入到所述第一层中；以及

在所述槽内形成导电结构，其中，所述导电结构电连接至所述掩 埋掺杂区，并与所述侧壁掺杂区电绝缘。

2.如权利要求1所述的方法，其中，掺杂所述第一层的所述一 部分的所述步骤包括：执行倾斜角度注入。

3.如权利要求1所述的方法，其进一步包括以下步骤：在形成 所述导电结构之前，沿着所述槽的所述侧壁形成绝缘侧壁隔离物。

4.如权利要求3所述的方法，其中，形成导电结构的所述步骤 包括：

沉积覆盖所述主表面的含难熔金属的材料，并填充所述槽的剩余 部分；以及

抛光所述含难熔金属的材料，以去除所述含难熔金属的材料的覆 盖所述主表面的那一部分。

5.一种形成电子器件的方法，其包括：

提供包括第一层、阱区、阱接触区、源极区、掩埋掺杂区和栅电 极的工件，其中：

所述第一层具有主表面；

所述阱区与所述主表面相邻；

所述阱接触区与所述主表面相邻且位于所述阱区内，并具 有比所述阱区高的峰值掺杂浓度；

所述源极区与所述主表面相邻且位于所述阱区内，并具有 比所述阱区高的峰值掺杂浓度；

所述掩埋掺杂区与所述主表面和所述阱区隔开；

所述栅电极覆盖所述第一层和所述阱区；

所述第一层、所述源极区和所述掩埋掺杂区具有第一导电 类型；且

所述阱区和所述阱接触区具有与所述第一导电类型相反的 第二导电类型；

蚀刻延伸至所述掩埋掺杂区的槽，其中，所述阱区和所述第一层 的部分位于沿着所述槽的侧壁的位置；

沿着所述槽的所述侧壁，将掺杂剂注入到所述第一层中；

将绝缘层沉积到所述槽中；

各向异性地蚀刻所述绝缘层，以形成沿着所述槽的所述侧壁的侧 壁隔离物；

沉积导电层，以填充所述槽的剩余部分；

抛光所述导电层，以形成导电结构，其中：

所述抛光的步骤去除所述导电层的覆盖所述源极区和所述 栅电极的那一部分；且

所述侧壁隔离物位于所述导电结构与所述槽的所述侧壁之 间；以及

形成第一互连件、第二互连件和第三互连件，其中：

所述第一互连件电连接至所述导电结构；

所述第二互连件电连接至所述阱接触区和所述源极区；且

所述第三互连件电连接至所述栅电极。

6.一种晶体管，其包括：

第一层，其具有主表面；

阱区，其与所述主表面相邻；

布置在所述主表面上的栅电极；

掩埋掺杂区，其与所述主表面和所述阱区隔开；

槽，其朝所述掩埋掺杂区延伸，其中，所述槽具有侧壁；

侧壁掺杂区，其沿着所述槽的所述侧壁，其中，所述侧壁掺杂区 延伸的深度比所述阱区深；以及

导电结构，其处于所述槽内，其中，所述导电结构电连接至所述 掩埋掺杂区，并与所述侧壁掺杂区电绝缘，其中：

所述第一层和所述掩埋掺杂区具有第一导电类型；且

所述阱区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。