[发明专利]具有穿导孔的半导体组件及其制造方法及具有穿导孔的半导体组件的封装结构

权利要求书

1.一种具有穿导孔的半导体组件，包括：

一硅基材，具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该硅基材；及

至少一穿导孔，贯穿该硅基材，该穿导孔包括：

一第一阻绝层，位于该穿孔的侧壁，且定义出一第一中心槽；

一导电金属，位于该第一中心槽内，且具有一环状侧部及一底部，该环状侧部及该底部定义出一第二中心槽，且该底部的一底面显露于该硅基材的第二表面之外；及

一第二阻绝层，位于该第二中心槽内。

2.如权利要求1的半导体组件，其中该穿导孔具有一第一端及一第二端，该穿导孔的第一端与该硅基材的第一表面齐平，该穿导孔的第二端与该硅基材的第二表面齐平。

3.如权利要求1的半导体组件，其中该穿导孔具有一第一端及一第二端，该穿导孔的第二端凸出于该硅基材的第二表面。

4.如权利要求3的半导体组件，其中该导电金属的底部凸出于该硅基材的第二表面。

5.如权利要求4的半导体组件，其中部分该导电金属的环状侧部、部分该第一阻绝层及部分该第二阻绝层更凸出于该硅基材的第二表面。

6.如权利要求1的半导体组件，其中该第一阻绝层更接触该导电金属的底部。

7.如权利要求1的半导体组件，更包括至少一表面金属层，该表面金属层位于该导电金属的底部的底面。

8.如权利要求7的半导体组件，其中该表面金属层延伸至该导电金属的底部的一侧面。

9.一种具有穿导孔的半导体组件的制造方法，包括：

(a)提供一半导体组件，包括一硅基材及至少一穿导孔，该硅基材具有一第一表面、一第二表面及至少一沟槽，该沟槽开口于该第一表面，该穿导孔位于该沟槽内，该穿导孔包括一第一阻绝层、一导电金属及一第二阻绝层，该第一阻绝层位于该沟槽的侧壁，且定义出一第一中心槽，该导电金属位于该第一中心槽内，且具有一环状侧部及一底部，该环状侧部及该底部定义出一第二中心槽，该第二阻绝层位于该第二中心槽内；及

(b)从该硅基材的第二表面移除部分该硅基材，以显露该穿导孔的导电金属的底部的一底面。

10.如权利要求9的方法，其中该步骤(a)包括：

(a1)提供该硅基材，该硅基材具有该第一表面及该第二表面；

(a2)于该硅基材的第一表面移除部分该硅基材，以形成一柱状沟槽；及

(a3)形成该导电金属于该柱状沟槽内，使得该导电金属具有该环状侧部及该底部，该环状侧部及该底部定义出该第二中心槽；及

(a4)于该硅基材的第一表面移除部分该硅基材，以形成至少一环状沟槽，该环状沟槽环绕该导电金属；及

(a5)配置一绝缘材料于该环状沟槽及该第二中心槽内，以形成该第一阻绝层及该第二阻绝层，该第一阻绝层定义出该第一中心槽。

11.如权利要求9的方法，其中该步骤(a)中，该穿导孔具有一第一端及一第二端，该穿导孔的第一端与该硅基材的第一表面齐平。

12.如权利要求9的方法，其中该第一阻绝层更接触该导电金属的底部。

13.如权利要求9的方法，其中该步骤(b)中，利用蚀刻或先研磨后蚀刻方法从该硅基材的第二表面移除部分该硅基材。

14.如权利要求9的方法，其中该步骤(b)之后，更包括一形成至少一表面金属层的步骤，该表面金属层位于该导电金属的底部的底面。

15.如权利要求14的方法，其中该表面金属层延伸至该导电金属的底部的一侧面。

16.一种具有穿导孔的半导体组件，包括：

一硅芯片，包括：

一硅基材，具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该硅基材；及

一主动线路层，位于该硅基材的第二表面，且具有至少一金属层及至少一开槽，该开槽的位置相对应该硅基材的穿孔的位置，且该开槽显露部分该金属层；及

至少一穿导孔，贯穿该硅基材，该穿导孔包括：

一第一阻绝层，位于该穿孔的侧壁，且定义出一第一中心槽；及

一导电金属，位于该第一中心槽及该主动线路层的开槽内，且电性连接至该主动线路层的金属层，该导电金属的一表面显露于该硅基材的第一表面之外。