[发明专利]具有穿导孔的半导体组件及其制造方法及具有穿导孔的半导体组件的封装结构

说明书

技术领域

本发明是关于一种半导体组件及其制造方法及具有半导体组件的封装结构，详言之，是关于一种具有穿导孔的半导体组件及其制造方法及具有穿导孔的半导体组件的封装结构。

背景技术

参考图1，显示已知具有穿导孔的半导体组件的剖面示意图。该已知具有穿导孔的半导体组件1包括一硅基材11及至少一穿导孔12。该硅基材11具有一第一表面111、一第二表面112及至少一穿孔113，该穿孔113贯穿该硅基材11。该穿导孔12贯穿该硅基材11。该穿导孔12包括一阻绝层121及一导电金属122。该阻绝层121位于该穿孔113的侧壁，且定义出一中心槽124。该导电金属122位于该中心槽124内。

该已知具有穿导孔的半导体组件1的缺点如下。若该已知半导体组件1需要与其它组件(图中未示)电性连接时，则需要分别于该硅基材11的双面(第一表面111及第二表面112)各形成一重布层(图中未示)。然而，形成该重布层的成本昂贵，且在制造过程中，不易稳固该硅基材11，导致良率不佳。

因此，有必要提供一种具有穿导孔的半导体组件及其制造方法及具有穿导孔的半导体组件的封装结构，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种具有穿导孔的半导体组件，其包括一硅基材及至少一穿导孔。该硅基材具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该硅基材。该穿导孔贯穿该硅基材，该穿导孔包括一第一阻绝层、一导电金属及一第二阻绝层。该第一阻绝层位于该穿孔的侧壁，且定义出一第一中心槽。该导电金属位于该第一中心槽内，且具有一环状侧部及一底部，该环状侧部及该底部定义出一第二中心槽，且该底部的一底面显露于该硅基材的第二表面之外。该第二阻绝层位于该第二中心槽内。

本发明另提供一种具有穿导孔的半导体组件的制造方法，其包括以下步骤：(a)提供一半导体组件，包括一硅基材及至少一穿导孔，该硅基材具有一第一表面、一第二表面及至少一沟槽，该沟槽开口于该第一表面，该穿导孔位于该沟槽内，该穿导孔包括一第一阻绝层、一导电金属及一第二阻绝层，该第一阻绝层位于该沟槽的侧壁，且定义出一第一中心槽，该导电金属位于该第一中心槽内，且具有一环状侧部及一底部，该环状侧部及该底部定义出一第二中心槽，该第二阻绝层位于该第二中心槽内；及(b)从该硅基材的第二表面移除部分该硅基材，以显露该穿导孔的导电金属的底部的一底面。

藉此，该导电金属的底部的底面显露于该硅基材的第二表面之外，而得以直接堆栈于一载体上，且不需要形成另一保护层及另一重布层于该硅基材的第二表面，进而简化工艺并降低成本。此外，可避免已知技术中，该硅基材分别于该第一表面及该第二表面各形成一重布层时，不易稳固该硅基材，而导致良率不佳的问题

本发明更提供一种具有穿导孔的半导体组件，其包括一硅芯片及至少一穿导孔。该硅芯片包括一硅基材及一主动线路层。该硅基材具有一第一表面、一第二表面及至少一穿孔，该穿孔贯穿该硅基材。该主动线路层位于该硅基材的第二表面，且具有至少一金属层及至少一开槽，该开槽的位置相对应该硅基材的穿孔的位置，且该开槽显露部分该金属层。该穿导孔贯穿该硅基材，该穿导孔包括一第一阻绝层及一导电金属。该第一阻绝层位于该穿孔的侧壁，且定义出一第一中心槽。该导电金属位于该第一中心槽及该主动线路层的开槽内，且电性连接至该主动线路层的金属层，该导电金属的一表面显露于该硅基材的第一表面之外。

本发明再提供一种具有穿导孔的半导体组件的制造方法，其包括以下步骤：(a)提供一硅芯片，该硅芯片包括一硅基材及一主动线路层，该硅基材具有一第一表面及一第二表面，该主动线路层位于该硅基材的第二表面，且具有至少一金属层；(b)于该硅基材的第一表面移除部分该硅基材及部分该主动线路层，以分别形成至少一柱状沟槽及至少一开槽，该柱状沟槽贯穿该硅基材，且该开槽显露部分该金属层；(c)形成一导电金属于该柱状沟槽及该开槽内，该导电金属电性连接至该主动线路层的金属层，该导电金属的一表面显露于该硅基材的第一表面之外；(d)于该硅基材的第一表面移除部分该硅基材，以形成至少一环状沟槽，该环状沟槽贯穿该硅基材，且环绕该导电金属；及(e)形成一第一阻绝层于该环状沟槽内。

藉此，该导电金属的表面显露于该硅基材的第一表面之外，而得以直接堆栈一芯片于其上，且不需要形成一保护层及一重布层于该硅基材的第一表面，进而简化工艺并降低成本。此外，该第一阻绝层的厚度为10μm至20μm，当堆栈一芯片于其上时，可避免该芯片的焊料溢出而导致桥接。