[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底上的栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘层；

夹着所述栅极绝缘层而重叠于所述栅电极层的一部分的源电极 层及漏电极层；以及

在所述栅电极层上并与位于所述源电极层和所述漏电极层之间 的区域的所述栅极绝缘层接触的氧化物半导体层，其中所述氧化物半 导体层设置在所述源电极层及所述漏电极层上，

其中，在所述栅电极层上并位于所述源电极层和所述漏电极层之 间的区域的所述栅极绝缘层的厚度薄于设置在所述栅电极层与所述 源电极层和所述漏电极层中的至少一方之间的所述栅极绝缘层的厚 度，

其中，所述源电极层及所述漏电极层的端部具有锥形形状，并且

其中，所述源电极层及所述漏电极层的上端部具有曲面形状。

2.一种半导体装置，包括：

衬底上的栅电极层；

所述栅电极层上的第一绝缘层；

所述第一绝缘层上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层重叠于所 述栅电极层的一部分；

夹着所述第一绝缘层及所述第二绝缘层而重叠于所述栅电极层 的所述部分的源电极层及漏电极层；以及

在所述栅电极层上并与位于所述源电极层和所述漏电极层之间 的区域的所述第一绝缘层接触的氧化物半导体层，其中所述氧化物半 导体层设置在所述源电极层及所述漏电极层上，

其中，所述源电极层及所述漏电极层的端部具有锥形形状，并且

其中，所述源电极层及所述漏电极层的上端部具有曲面形状。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在所述栅电极层 上并位于所述源电极层和所述漏电极层之间的区域的所述第一绝缘 层的厚度薄于设置在所述栅电极层与所述源电极层和所述漏电极层 中的至少一方之间的所述第一绝缘层的厚度。

4.一种半导体装置，包括：

衬底上的栅电极层；

在所述栅电极层上依次层叠的第一绝缘层和第二绝缘层；

夹着所述第一绝缘层及所述第二绝缘层而重叠于所述栅电极层 的一部分的源电极层及漏电极层；以及

在所述栅电极层上并与位于所述源电极层和所述漏电极层之间 的区域的所述第二绝缘层接触的氧化物半导体层，其中所述氧化物半 导体层设置在所述源电极层及所述漏电极层上，

其中，在所述栅电极层上并位于所述源电极层和所述漏电极层之 间的区域的所述第二绝缘层的厚度薄于设置在所述栅电极层与所述 源电极层和所述漏电极层中的至少一方之间的所述第二绝缘层的厚 度，

其中，所述源电极层及所述漏电极层的端部具有锥形形状，并且

其中，所述源电极层及所述漏电极层的上端部具有曲面形状。

5.根据权利要求1、2和4中任一项所述的半导体装置，其中， 所述氧化物半导体层以夹着缓冲层的方式设置在所述源电极层及所 述漏电极层上。

6.根据权利要求1、2和4中任一项所述的半导体装置，其中， 所述源电极层及所述漏电极层的每个端部的锥形角分别大于或等于 20°且小于90°。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源电极层及 所述漏电极层的每个上端部的曲率半径分别为所述源电极层和所述 漏电极层中的一方的厚度的1／100以上且1／2以下。

8.根据权利要求1、2和4中任一项所述的半导体装置，其中， 所述氧化物半导体层包含选自铟、镓及锌中的至少一种。