[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法有效
申请号: | 200910208120.X | 申请日: | 2009-10-28 |
公开(公告)号: | CN101740631A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 秋元健吾;津吹将志 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/34;H01L21/84;H01L21/28 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,包括:
衬底上的栅电极层;
所述栅电极层上的栅极绝缘层;
夹着所述栅极绝缘层而重叠于所述栅电极层的一部分的源电极 层及漏电极层;以及
在所述栅电极层上并与位于所述源电极层和所述漏电极层之间 的区域的所述栅极绝缘层接触的氧化物半导体层,其中所述氧化物半 导体层设置在所述源电极层及所述漏电极层上,
其中,在所述栅电极层上并位于所述源电极层和所述漏电极层之 间的区域的所述栅极绝缘层的厚度薄于设置在所述栅电极层与所述 源电极层和所述漏电极层中的至少一方之间的所述栅极绝缘层的厚 度,
其中,所述源电极层及所述漏电极层的端部具有锥形形状,并且
其中,所述源电极层及所述漏电极层的上端部具有曲面形状。
2.一种半导体装置,包括:
衬底上的栅电极层;
所述栅电极层上的第一绝缘层;
所述第一绝缘层上的第二绝缘层,其中所述第二绝缘层重叠于所 述栅电极层的一部分;
夹着所述第一绝缘层及所述第二绝缘层而重叠于所述栅电极层 的所述部分的源电极层及漏电极层;以及
在所述栅电极层上并与位于所述源电极层和所述漏电极层之间 的区域的所述第一绝缘层接触的氧化物半导体层,其中所述氧化物半 导体层设置在所述源电极层及所述漏电极层上,
其中,所述源电极层及所述漏电极层的端部具有锥形形状,并且
其中,所述源电极层及所述漏电极层的上端部具有曲面形状。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,在所述栅电极层 上并位于所述源电极层和所述漏电极层之间的区域的所述第一绝缘 层的厚度薄于设置在所述栅电极层与所述源电极层和所述漏电极层 中的至少一方之间的所述第一绝缘层的厚度。
4.一种半导体装置,包括:
衬底上的栅电极层;
在所述栅电极层上依次层叠的第一绝缘层和第二绝缘层;
夹着所述第一绝缘层及所述第二绝缘层而重叠于所述栅电极层 的一部分的源电极层及漏电极层;以及
在所述栅电极层上并与位于所述源电极层和所述漏电极层之间 的区域的所述第二绝缘层接触的氧化物半导体层,其中所述氧化物半 导体层设置在所述源电极层及所述漏电极层上,
其中,在所述栅电极层上并位于所述源电极层和所述漏电极层之 间的区域的所述第二绝缘层的厚度薄于设置在所述栅电极层与所述 源电极层和所述漏电极层中的至少一方之间的所述第二绝缘层的厚 度,
其中,所述源电极层及所述漏电极层的端部具有锥形形状,并且
其中,所述源电极层及所述漏电极层的上端部具有曲面形状。
5.根据权利要求1、2和4中任一项所述的半导体装置,其中, 所述氧化物半导体层以夹着缓冲层的方式设置在所述源电极层及所 述漏电极层上。
6.根据权利要求1、2和4中任一项所述的半导体装置,其中, 所述源电极层及所述漏电极层的每个端部的锥形角分别大于或等于 20°且小于90°。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述源电极层及 所述漏电极层的每个上端部的曲率半径分别为所述源电极层和所述 漏电极层中的一方的厚度的1/100以上且1/2以下。
8.根据权利要求1、2和4中任一项所述的半导体装置,其中, 所述氧化物半导体层包含选自铟、镓及锌中的至少一种。
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