[发明专利]垂直磁记录介质

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质，包括：

顺序叠置在衬底上的软磁衬层、籽层、中间层、磁记录层和保护层，

其中所述籽层包括衬底侧的第一籽层和形成在所述第一籽层上的第二 籽层，所述第一籽层由包括CoFe合金的具有fcc晶体结构的磁材料构成， 所述第二籽层包括具有fcc晶体结构的包括NiW合金的非磁材料，

所述软磁衬层具有非晶结构或微晶结构，且

所述中间层包括Ru或Ru合金，

所述中间层的厚度为12nm或更小。

2.如权利要求1的垂直磁记录介质，其中所述CoFe合金包括Ta、W、 Nb、B和V中的至少一种。

3.如权利要求1或2的垂直磁记录介质，其中所述软磁衬层包括第一 软磁层和第二软磁层，所述第一软磁层和第二软磁层叠置且非磁层置于所述 第一软磁层和第二软磁层之间。

4.一种垂直磁记录介质，包括：

顺序叠置在衬底上的软磁衬层、籽层、中间层、磁记录层和保护层，

其中所述籽层包括衬底侧的第一籽层和形成在所述第一籽层上的第二 籽层，所述第一籽层由包括CoFe合金的具有fcc晶体结构的磁材料构成， 所述第二籽层包括具有fcc晶体结构的包括NiW合金的非磁材料，

所述软磁衬层具有非晶结构或纳米晶结构，

所述中间层包括Ru或Ru合金，且

非磁层形成在所述软磁衬层和所述第一籽层之间，

所述中间层的厚度为12nm或更小。

5.如权利要求4的垂直磁记录介质，其中所述非磁层具有非晶结构。

6.如权利要求4的垂直磁记录介质，其中所述非磁层具有fcc晶体结构 或hcp晶体结构。

7.如权利要求4-6中的任一项的垂直磁记录介质，其中所述CoFe合金 包括Ta、W、Nb、B和V中的至少一种。

8.如权利要求4-6中的任一项的垂直磁记录介质，其中所述软磁衬层 包括第一软磁层和第二软磁层，所述第一软磁层和第二软磁层叠置且非磁层 置于所述第一软磁层和第二软磁层之间。

9.如权利要求7的垂直磁记录介质，其中所述软磁衬层包括第一软磁 层和第二软磁层，所述第一软磁层和第二软磁层叠置且非磁层置于所述第一 软磁层和第二软磁层之间。