[发明专利]垂直磁记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及可进行高容量信息记录的磁记录介质，尤其涉及更适于高密 度磁记录的磁记录介质。

背景技术

在垂直磁记录中，相邻位的磁化不彼此面对，因此可以实现高记录密度 非常需要的稳定的记录状态。垂直磁记录介质具有其中主要堆叠软磁衬层、 中间层和磁记录层的结构。软磁衬层抑制磁头产生的磁场的扩展从而有效地 磁化磁记录层。中间层在软磁衬层和磁记录层之间进行磁隔离，并控制磁记 录层的晶体取向。对于磁记录层，通常使用包括添加有诸如SiO₂的氧化物的 CoCrPt铁磁合金的颗粒型记录层，其与以前的CoCrPt介质相比被认为是介 质噪声低且热退磁强。

为了进一步改善性能或增加记录密度，需要减小磁记录层中的介质噪 声，另外，需要减小软磁衬层与磁头之间的距离。如前所述，软磁衬层防止 记录头产生的磁通的扩展，从而辅助写信息到磁记录层中。因此，减小它们 之间的距离，由此使记录头的磁场梯度变陡，结果可以更有效地记录信息。 作为减小软磁衬层与磁头之间的距离的方法，减小磁头的飞行高度、减小保 护膜或润滑膜的厚度以及此外减小磁记录层或中间层的厚度是可能的方法。 从可靠性的观点看，减小保护膜或润滑膜的厚度是有局限的。此外，减小磁 记录层的厚度导致记录的磁化的热稳定性劣化、噪声增大以及信号质量降低 等问题。由于中间层对于控制磁记录层的晶体取向具有重要作用，所以将中 间层的厚度减小到最小且同时仍保持磁记录层的性能成为一个重要课题。尽 管提出了各种用于中间层的材料，但通常使用Ru或Ru合金。提出了一种 改善Ru的晶体取向的方法，其中包括Ta或Ti合金的衬层形成在Ru中间层 之下。另外，提出了一种方法，其中在中间层中部分地使用软磁衬层的材料 从而一起控制软磁衬层的功能和中间层的晶体取向。例如，专利文献1描述 了一种方法，其中使用NiFe衬层和Ru中间层，专利文献2描述了一种方法， 其中使用NiW衬层和Ru中间层，专利文献3描述了一种方法，其中在堆叠 于NiFe软磁层上的CoFe软磁层上使用Ru中间层。

专利文献1：JP-A-2003-123239

专利文献2：JP-A-2007-179598

专利文献3：JP-A-2004-288348

发明内容

过去提出的介质构造具有大的中间层厚度，当中间层简单地变薄时，记 录层的属性劣化，因而难以实现具有优异的记录/再现特性的磁记录介质。

针对上述问题作出本发明，其旨在实现具有优异的记录/再现特性的磁记 录介质，其中中间层通过适当选择籽层的材料和结构的组合而具有小厚度。

本发明的磁记录介质具有一结构，其中软磁衬层、籽层、中间层、磁记 录层和保护层顺序叠置在衬底上。籽层具有层叠结构，包括作为下层的第一 籽层和作为上层的第二籽层。第一籽层由包括CoFe合金的具有面心立方晶 格(fcc)结构的磁合金构成，第二籽层由包括NiW合金的具有fcc结构的 非磁合金构成。

根据本发明，选择包括两层结构的籽层，其由包括CoFe合金的具有fcc 结构的软磁材料和包括NiW合金的具有fcc结构的非磁材料构成，由此可提 供具有优异再现性和可靠性并能实现高记录密度的垂直磁记录介质。

附图说明

图1示出本发明一示例的垂直磁记录介质的结构；

图2示出本发明另一示例的垂直磁记录介质的结构。

具体实施方式

在本发明的垂直磁记录介质中，粘合层形成在衬底上，软磁衬层形成在 粘合层上，籽层形成在软磁衬层上，中间层形成在籽层上，垂直磁记录层形 成在中间层上。

粘合层的材料没有特别限制，只要该材料在粘着到衬底方面和表面平坦 度方面优异即可。然而，粘合层优选地由包括Ni、Al、Ti、Ta、Cr、Zr、Co、 Hf、Si和B中的至少两种的合金构成。更具体地，可以使用NiTa、AlTi、 AlTa、CrTi、CoTi、NiTaZr、NiCrZr、CrTiAl、CrTiTa、CrTiNi、CoTiAl等。