[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910208198.1 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101740426A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 须藤和之;富田弘明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
在半导体基板的主面隔着第一绝缘膜形成第一配线的工序；
为了将所述第一配线露出，自所述半导体基板的背面，在该半导体基 板形成开口部的工序；
在所述开口部及所述背面上形成第二绝缘膜的工序；
在所述第二绝缘膜上，形成与所述第一配线连接且自所述开口部内延 伸至所述背面上的第二配线的工序；
形成焊料层的工序，该焊料层与所述第一配线上的所述第二配线的一 部分及自该第二配线的一部分延伸的所述开口部侧壁的所述第二配线连 接，并延伸至包含所述第二配线的所述背面的区域上；
使所述焊料层回流的工序。
2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
在半导体基板的主面隔着第一绝缘膜形成第一配线的工序；
为了将所述第一配线露出，自所述半导体基板的背面，在该半导体基 板形成开口部的工序；
在所述开口部及所述背面上形成第二绝缘膜的工序；
在所述第二绝缘膜上，形成与所述第一配线连接且自所述开口部内延 伸至所述背面上的第二配线的工序；
在除所述开口部之外的所述半导体基板的、包含所述第二配线的所述 背面上形成焊料层的工序；
使所述焊料层回流的工序。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所 述焊料层在包含所述第二配线的所述背面的区域上包围所述开口部而形 成。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所 述焊料层利用丝网印刷法形成。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所 述焊料层利用散布法形成。
6.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所 述开口部具有在所述背面侧宽而在主面侧变窄的倾斜面。
7.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所 述开口部形成为圆筒状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社，未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
