[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，特别涉及特征在于具有在半导体基板的开口部上形成凸起电极的方法的半导体装置的制造方法。 

背景技术

为了有效利用半导体基板的主面，引入如下技术，即，将与外部基板等电连接的结合用电极形成于半导体芯片的背面。此时，在形成于背面的电极上形成由焊料等构成的凸起电极28，这种技术随着CSP技术的发展而被采用并逐步普及。以下，基于图5说明该凸起电极28的形成方法。首先，如图5(a)所示，在半导体基板21的主面上隔着由氧化膜等构成的第一绝缘膜22形成第一配线23。接着，自半导体基板21的背面侧，以露出该第一配线23背面的方式在该半导体基板21形成开口部24。 

接着，在所述开口部24和半导体基板21的背面上形成由氧化膜等构成的第二绝缘膜25，此后，使所述第一配线23的背面露出，并形成与该配线23的背面连接且自开口部24内延伸至背面的第二配线26。最后，利用丝网印刷法等在背面的包含开口部24的区域印刷焊料膏等而形成焊料层27，此后，如图5(b)所示，通过使焊料层27回流，形成与第一配线23连接的凸起电极28。另外，在第一配线23上形成有保护膜30。 

在以下的专利文献1等中记载有如上所述的在半导体基板21的背面形成由焊料等构成的凸起电极28的技术。 

专利文献1：(日本)特开2007-165696号公报 

如前所述，在现有技术中，在半导体基板21的背面，以覆盖形成有与第一配线23连接的第二配线26的开口部24的方式，利用厚的焊料膏等形成有焊料层27。因此，引入到焊料膏等与开口部24之间的剩余的气体31在回流工序结束之后有时形成气孔29，因此，采取进行消泡处理的同时形成焊料层27等各种对策。另外，为了防止这样的不良状况和工时增加，也进行在自开口部24离开的位置形成凸起电极28的操作。当不采取该对策而产生气孔29时，由于此后向安装基板安装半导体基板21时的热处理循环和安装后半导体装置21等在使用中的发热，该气孔29反复进行膨胀收缩，从而引起在该部分产生裂纹等问题。另外，残留于气孔29内的来自焊料膏等内部的杂质也有可能腐蚀凸起电极29等。因此，产生如下课题：不导入消泡处理等额外的工序，即可抑制在凸起电极28内产生被引入的气孔29，并消除该问题。 

发明内容

本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在半导体基板的主面隔着第一绝缘膜形成第一配线的工序；为了将所述第一配线露出，自所述半导体基板的背面，在该半导体基板形成开口部的工序；在所述开口部及所述背面上形成第二绝缘膜的工序；在所述第二绝缘膜上，形成与所述第一配线连接且自所述开口部内延伸至所述背面上的第二配线的工序；形成焊料层的工序，该焊料层与所述第一配线上的所述第二配线的一部分及自该第二配线的一部分延伸的所述开口部侧壁的所述第二配线连接，并延伸至包含所述第二配线的所述背面的区域上；使所述焊料层回流的工序。 

另外，本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，所述焊料层形成在除所述开口部之外的所述半导体基板的、包含所述第二配线的所述背面上；所述焊料层在包含所述第二配线的所述背面的区域上包围所述开口部而形成；所述焊料层利用丝网印刷法形成；所述焊料层利用散布法形成；所述开口部具有在所述背面侧宽而在主面侧变窄的倾斜面；所述开口部形成为圆筒状。 

根据本发明的半导体装置的制造方法，可以抑制自半导体基板的背面侧朝向主面侧形成的开口部内的焊料凸起电极产生被引入的气孔。 

附图说明

图1(a)、(b)、(c)是表示本发明实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图； 

图2是表示本发明实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图； 

图3(a)、(b)是表示本发明实施方式的半导体装置的制造方法的剖面 

图4是表示本发明实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图； 

图5(a)、(b)是表示现有实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图。 

附图标记说明 

1   半导体基板    2   第一绝缘膜   3   第一配线 

4   绝缘膜        5   开口部       6   第二绝缘膜 

7   第二配线      8   焊料层       9   凸起电极 

10  粘接层        11  支承体       12  倾斜部