[发明专利]电平位移电路无效
申请号: | 200910209222.3 | 申请日: | 2009-11-02 |
公开(公告)号: | CN101729059A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 本多悠里 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;G05F3/26 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;李亚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 位移 电路 | ||
1.一种电平位移电路,其特征在于,具有:
第1电阻,一端连接到接地;
第1晶体管,漏极和栅极连接到上述第1电阻的另一端,源极连接到第1电源;
第2晶体管,源极连接到上述第1电源,栅极连接到上述第1晶体管的漏极和栅极;
第2电阻,一端连接到上述第2晶体管的漏极;
第3晶体管,源极连接到上述第2电阻的另一端,栅极连接到输入端子;
第1电流源,连接在第2电源和上述第3晶体管的漏极之间;以及
输出段电路,包括连接在输出端子和上述第1电源之间的第4晶体管,该第4晶体管的栅极连接到上述第2晶体管的漏极。
2.根据权利要求1所述的电平位移电路,其特征在于,
上述第1电流源具有:第5晶体管,漏极连接到上述第2电源;和
第3电阻,连接在上述第5晶体管的源极和栅极之间,
上述第5晶体管的栅极和上述第3电阻的连接点连接到上述第3晶体管的漏极。
3.根据权利要求2所述的电平位移电路,其特征在于,
上述输出段电路具有第6晶体管,该第6晶体管连接在上述第2电源和上述输出端子之间。
4.根据权利要求1所述的电平位移电路,其特征在于,
上述输出段电路具有:
第2电流源,一端连接到上述第2电源;
第6晶体管,漏极连接到上述第2电流源的另一端,栅极连接到上述第2晶体管的漏极,源极与上述第4晶体管的源极共同连接;
第1二极管,连接在上述第4晶体管、第6晶体管的共同源极和上述第1电源之间;
第7晶体管,漏极连接到上述第2电源,栅极连接到上述第2电流源和上述第6晶体管的连接点;以及
第2二极管,连接在上述第7晶体管的源极和上述输出端子之间。
5.根据权利要求4所述的电平位移电路,其特征在于,
上述第2电流源具有:第8晶体管,漏极连接到上述第2电源;和
第4电阻,连接在上述第8晶体管的栅极和源极之间,
上述第8晶体管的栅极和上述第4电阻的连接点连接到上述第6晶体管的漏极。
6.根据权利要求1所述的电平位移电路,其特征在于,
上述第1电流源由第5电阻构成,该第5电阻连接在上述第2电源和上述第3晶体管的漏极之间。
7.根据权利要求1所述的电平位移电路,其特征在于,
在上述第1电阻的一端和接地之间具有第9晶体管,上述第9晶体管的漏极连接到接地,上述第9晶体管的源极连接到上述第1电阻的一端,上述第9晶体管的栅极连接到上述第1电阻的另一端,
在上述第3晶体管的源极和上述第2电阻之间具有第10晶体管,上述第10晶体管的漏极连接到上述第3晶体管的源极,上述第10晶体管的源极连接到上述第2电阻的一端,上述第10晶体管的栅极连接到上述第2电阻的另一端。
8.根据权利要求1所述的电平位移电路,其特征在于,还具有:
第11晶体管,漏极连接到上述第1晶体管的源极,源极连接到上述第1电源;和
第12晶体管,漏极连接到上述第2晶体管的源极,源极连接到上述第1电源,栅极和漏极共同连接。
9.根据权利要求1所述的电平位移电路,其特征在于,
还具有第13晶体管,该第13晶体管的漏极连接到上述第2电源,栅极连接到接地,上述第1电阻的一端没有连接到接地,而是连接到上述第13晶体管的源极。
10.根据权利要求8所述的电平位移电路,其特征在于,
在级联连接的上述第12晶体管和上述第2晶体管、与上述第2电源之间,与上述第2电阻、上述第3晶体管串联地插入有栅极接地的第14晶体管。
11.根据权利要求10所述的电平位移电路,其特征在于,
上述第3晶体管的漏极不经由上述第1电流源连接到上述第2电源,而是直接连接到上述第2电源,
上述第14晶体管连接在上述第2电阻和上述第3晶体管之间。
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