[发明专利]光掩模制造方法、描绘装置、光掩模检查方法及检查装置有效

专利信息
申请号: 200910209367.3 申请日: 2009-11-04
公开(公告)号: CN101738851A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 池边寿美;田中敏幸 申请(专利权)人: HOYA株式会社
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14;G03F1/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光掩模 制造 方法 描绘 装置 检查
【权利要求书】:

1.一种光掩模制造方法,该光掩模制造方法包括如下工序:在具有 透明基板、所述透明基板上的薄膜以及所述薄膜上的光致抗蚀剂膜的光 掩模坯体上,使用描绘机根据预定描绘数据来照射能量束,由此描绘预 定转印图案,其特征在于,该光掩模制造方法还包含以下工序:

在以具有所述薄膜的面为上侧的方式将所述光掩模坯体放置在所述 描绘机的工作台上的状态下,对所述光掩模坯体的上侧面的高度分布进 行测定,由此得到坯体面高度分布数据,

求出所述坯体面高度分布数据与预先取得的所述光掩模坯体的膜面 形状数据之间的差分,由此校正用于所述预定转印图案的设计描绘数据, 从而得到所述预定描绘数据。

2.一种光掩模制造方法,其特征在于,该光掩模制造方法具有以下 工序:

准备光掩模坯体的工序,该光掩模坯体具有透明基板、所述透明基 板上的薄膜以及所述薄膜上的光致抗蚀剂膜;

以具有所述薄膜的面为上侧的方式将所述光掩模坯体放置在描绘机 的工作台上的工序;

通过测定所述工作台上的所述光掩模坯体的上侧面的高度分布来得 到坯体面高度分布数据的工序;

求出所述坯体面高度分布数据与预先取得的所述光掩模坯体的膜面 形状数据之间的差分,来校正用于预定转印图案的设计描绘数据,由此 得到预定描绘数据的工序;以及

根据所述预定描绘数据对所述光致抗蚀剂膜照射能量束,由此描绘 所述预定转印图案的工序。

3.根据权利要求1或2所述的光掩模制造方法,其特征在于,

使用求出所述坯体面高度分布数据与所述膜面形状数据之间的差分 而得到的差分数据,根据所述光掩模坯体的表面上多个位置处的、所述 光掩模坯体的高度方向的倾斜度和所述光掩模坯体的厚度来进行所述设 计描绘数据的校正。

4.根据权利要求1或2所述的光掩模制造方法,其特征在于,

该光掩模制造方法还具有如下工序:将通过所述预定转印图案形成 的光致抗蚀剂图案作为掩模,对所述薄膜进行蚀刻,其中所述预定转印 图案是使用对所述设计描绘数据进行校正得到的描绘数据而描绘的。

5.根据权利要求4所述的光掩模制造方法,其特征在于,

该光掩模制造方法具有如下工序:在所述透明基板上形成多个所述 薄膜,针对所述多个薄膜的每一个,将通过使用所述预定描绘数据描绘 的所述预定转印图案而形成的光致抗蚀剂图案作为掩模进行蚀刻。

6.一种描绘装置,该描绘装置对在表面形成有光致抗蚀剂膜的光掩 模坯体描绘预定转印图案,其特征在于,该描绘装置具有:

放置所述光掩模坯体的工作台;

高度测定单元,其通过测定以所述光致抗蚀剂膜朝上的方式放置在 所述工作台上的所述光掩模坯体的表面高度分布,来得到坯体面高度分 布数据;

运算单元,其求出所述坯体面高度分布数据与预先取得的所述光掩 模坯体的膜面形状数据之间的差分,来校正用于所述预定转印图案的设 计描绘数据,由此得到预定描绘数据;以及

描绘单元,其根据所述预定描绘数据,对所述光致抗蚀剂膜照射能 量束。

7.一种光掩模检查方法,该光掩模检查方法使用检查装置对在透明 基板上具有由薄膜构成的转印图案的光掩模进行检查,其特征在于,该 光掩模检查方法具有以下工序:

以具有所述转印图案的面为上侧的方式将所述光掩模放置在所述检 查装置的工作台上的工序;

通过测定所述工作台上的所述光掩模的上侧面的高度分布来得到掩 模面高度分布数据的工序;

测定所述工作台上的所述光掩模的所述转印图案的形状来得到图案 测长数据的工序;以及

求出所述掩模面高度分布数据与预先取得的所述光掩模的膜面形状 数据之间的差分,来校正所述图案测长数据或用于所述转印图案的设计 描绘数据的工序。

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