[发明专利]光掩模制造方法、描绘装置、光掩模检查方法及检查装置

说明书

技术领域

本发明涉及在LSI(大规模集成电路)或液晶显示装置(Liquid Crystal Display：以下称为LCD)等的制造中使用的光掩模的制造方法、描绘装 置、光掩模检查方法以及光掩模检查装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display：以下称为TFT-LCD)与CRT(阴极射线管)相比，具有易于薄 型化且功耗低的优点，所以目前快速地向商品化大型化发展。TFT-LCD 具有如下的概略结构：排列成矩阵状的各像素上排列有TFT的结构的 TFT基板、以及与各像素对应地排列有红、绿、蓝像素图案的滤色器， 隔着液晶相而重叠。

在TFT-LCD的制造中，与LSI的制造同样，需要基于投影曝光技术 的光刻工艺。进行该投影曝光时作为掩模使用的光掩模为：在透明基板 上形成薄膜，经过构图而形成包括透光部和遮光部的曝光用转印图案(有 时还包括半透光部)。关于该转印图案，需要使各个图案相对于所设计的 预定坐标准确地处于预定的位置关系。该位置关系的准确性与图案的进 一步细微化、高解像度化成比例，要求更高度的准确性。

通常，在透光性基板的表面形成有遮光膜和/或半透光膜(以下简称 为薄膜)的光掩模坯体上形成抗蚀剂膜，成为带抗蚀剂膜的光掩模坯体， 利用激光或电子射线等能量束在该抗蚀剂膜上描绘转印图案后，使用显 影后的抗蚀剂图案，通过蚀刻来形成该转印图案。在该描绘工序中，在 工作台上保持带抗蚀剂膜的光掩模坯体，将待描绘的图案作为设计描绘 数据存储在计算机中，根据该设计描绘数据控制描绘光照射位置和/或工 作台的位置，进行描绘。

这里，认为需要使通过该描绘而曝光并通过抗蚀剂的显影、薄膜的 蚀刻而实际在光掩模上形成的转印图案、与掩模用户指定的由设计描绘 数据表示的转印图案准确地一致。而且，使用该掩模转印在被转印体(液 晶面板等器件)上的图案需要满足掩模用户要求的规格。在使用不满足 该条件的光掩模进行图案转印的情况下，造成大量不良器件。

例如，在日本特开平7-273160号公报(专利文献1)中记载了如下 方法：针对所制造的光掩模，调查实际形成的转印图案与由设计描绘数 据表示的转印图案是否在预定精度以上一致，并评价光掩模图案。

并且，在日本特表2007-512551号公报(专利文献2)中记载了在曝 光装置使用的表面上写入图案的方法，其中，在描绘机(描绘装置)的 工作台上配置厚度T的光掩模坯体，将表面分割成多个测定点，在各测 定点处测定表面倾斜度，计算各点在X-Y平面中的二维局部偏移d，使 用该二维局部偏移d来修正图案。

但是，通过专利文献1，虽然能够可靠地进行图案评价，但是，通 过曝光将形成在光掩模上的转印图案转印到被转印体上时，无法提高其 坐标精度本身。

并且，在专利文献2中是这样的方法：在曝光系统等中，与在写入 图案时产生的所有物理变形无关地在对象上写入图案，没有考虑并区别 在描绘工序和曝光工序这样的不同工序中对象物理变形的因素的差异， 因此利用专利文献2的方法，很难形成相对于设计描绘数据具有相当精 度的图案的光掩模。

这里，“设计描绘数据”是指反映了所要得到的器件的图案形状的设 计上的图案数据。

发明内容

本发明的目的在于，提供在LSI和LCD等电子器件的制造中能够高 精度地制造TFT等器件图案的光掩模的制造方法、检查方法以及装置。

通常，在放置于描绘机上的状态下，光掩模坯体膜面不是理想的平 面形状，而会由于各种因素而变形。并且，将光掩模坯体配置在描绘机 上时的变形因素、与对完成的光掩模进行曝光时的变形因素不同。即， 如上所述，在从理想平面变形后的膜面上进行描绘，所形成的掩模图案 面在曝光时成为与描绘时不同的形状，此时产生了无法把设计描绘数据 所确定的期望图案准确地转印到被转印体上的问题。

本发明人对配置在描绘机工作台上的光掩模坯体的表面形状的变形 因素进行详细分析，发现在该变形因素中具有在曝光装置中使用光掩模 时仍残留的变形因素和不再残留的变形因素。从而考虑只针对由曝光时 消失的因素引起的坐标偏差，校正设计描绘数据来得到描绘数据。