[发明专利]半穿透半反射式薄膜晶体管面板及其制造方法

权利要求书

1.一种半穿透半反射式薄膜晶体管面板的制造方法，其特征在于，该制造方法包括下列步骤：

形成一栅极电极以及一电容电极于一基板上；

形成一栅绝缘层覆盖于该栅极电极以及该电容电极上；

形成一半导体层图案于该栅绝缘层上，以形成一通道区；

形成一源极图案以及一漏极图案于该半导体层图案上，该漏极图案包含一第一区域以及一第二区域，其中该第一区域设置于该信道区上，该第二区域设置于该电容电极上；

形成一保护层图案，以覆盖该半导体层图案、该源极图案以及该漏极图案上，并于该第一区域表面曝露一漏极接触孔；

形成一像素电极图案于该保护层图案上，且透过该漏极接触孔电性连接于该漏极图案；

形成一相变化材料层覆盖于该保护层图案上以及该像素电极图案上；

图案化该相变化材料层；以及

施加能量于该图案化的相变化材料层表面，以于该相变化材料层上形成复数个不规则凸块。

2.如权利要求1的半穿透半反射式薄膜晶体管面板制造方法，其特征在于，形成该相变化材料层的方法为利用物理气相沉积法，图案化该相变化材料层的步骤中为微影制程蚀刻法。

3.如权利要求1的半穿透半反射式薄膜晶体管面板制造方法，其特征在于，施加能量于该图案化的相变化材料层的步骤中是使用激光照射法，该激光照射法的波长介于0.2至30微米之间，该些不规则凸块是使用介于0.2至30微米的激光波长所形成。

4.一种用于半穿透半反射式薄膜晶体管面板制造方法，该方法包括下列步骤：

形成一栅极电极以及一电容电极于一基板上；

形成一栅绝缘层覆盖于该栅极电极以及该电容电极上；

形成一半导体层图案于该栅绝缘层上，以形成一通道区；

形成一源极图案以及一漏极图案于该半导体层图案上，该漏极图案包含一第一区域以及一第二区域，其中该第一区域设置于该信道区上，该第二区域设置于该电容电极上；

形成一保护层图案，以覆盖该半导体层图案、该源极图案以及该漏极图案上，并于该第一区域表面曝露一漏极接触孔；

形成一像素电极图案于该保护层图案上，且透过该漏极接触孔电性连接于该漏极图案；

形成一相变化材料层覆盖于该保护层图案上以及该像素电极图案上；施加能量于该相变化材料层表面，以使该相变化材料层形成复数个不规则凸块；以及

图案化具有该些不规则凸块所组成的相变化材料层。

5.如权利要求4的半穿透半反射式薄膜晶体管面板制造方法，其特征在于，形成该相变化材料层的方法是利用物理气相沉积法。

6.如权利要求4的半穿透半反射式薄膜晶体管面板制造方法，其特征在于，施加能量于该相变化材料层表面的步骤中是使用激光照射法，该激光照射法的波长介于0.2至30微米之间，该些不规则凸块是使用介于0.2至30微米的激光波长所形成。

7.如权利要求4的薄膜晶体管面板制造方法，其特征在于，图案化具有该些不规则凸块所组成的相变化材料层的步骤是为微影制程蚀刻法。

8.一种半穿透半反射式薄膜晶体管面板，其特征在于，包括：

一基板；

一栅极电极以及一电容电极设于该基板上；

一栅绝缘层连续覆盖于该栅极电极以及该电容电极上；

一半导体层图案设于该栅极电极上方的该栅绝缘层上，形成一通道区；

一源极图案以及一漏极图案设于该半导体层上，该漏极图案包含一第一区域正对该信道区上方以及一第二区域正对该电容电极上方；

一保护层图案覆盖于该半导体层图案上以及该源极图案以及该漏极图案上，并于该第一区域表面露出一漏极接触孔；

一像素电极图案设于该保护层上且透过该漏极接触孔电性连接于该漏极图案；以及

一相变化材料层图案设于该保护层图案上以及该像素电极图案上，且该相变化材料层具有复数凹凸不规则的反射面。

9.如权利要求8的半穿透半反射式薄膜晶体管面板，其特征在于，该半导体层图案是由一非晶硅层以及一奥姆接触层覆盖于该非晶硅层上所组成。

10.如权利要求8的半穿透半反射式薄膜晶体管面板，其特征在于，该相变化材料层是具有在结晶相与非晶相之间存在不同体积的合金材料。