[发明专利]半穿透半反射式薄膜晶体管面板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种薄膜晶体管面板及其制造方法，特别有关于一种用于半穿透半反射式薄膜晶体管面板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器依据其照明(illumination)光源分为三种，第一种是穿透式(Transmitive Type)液晶显示器，在户外强烈的阳光下使用时会因为环境光(Ambient Light)远大于背光光源(Black Light)而不能清楚看到影像信息。第二种是反射式(Reflective Type)液晶显示器，虽可克服上述穿透式液晶显示器的问题，但在室内的暗处时亮度却不足。因此，为了同时因应显示器在不同环境光下具有较高的显示质量，特别是在携带型显示器的应用中，业界发展出「半穿透半反射式(Transflective Type)液晶显示器」。半穿透半反射式液晶显示器结合穿透式与反射式显示器的优点，可应用在移动式显示器(Portable Display)手机与个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)器中。

半穿透半反射液晶显示器为一种双重模式显示器，亦即在反射模式时利用外界环境光源，透过半穿透半反射显示器像素中的反射面，将光线反射而照明该显示器装置。而在穿透模式时，则利用内建的背光光源产生照明。目前制造液晶显示器装置以及面板的方法是以非晶硅薄膜晶体管技术为基础，传统用于半穿透半反射式液晶显示器的薄膜晶体管面板的制造方法描述于下。

参考图1，其绘示公知技术的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)面板结构的剖视图。其制作流程如下：首先，利用第1道光罩定义薄膜晶体管(TFT)的栅极110以及电容电极110a的金属区域于玻璃基板100上；接着在第2道光罩制程中，沉积栅绝缘层120与半导体层130，并且蚀刻定义出晶体管的主动区域(Active Area)，供电子与电洞等载子的流动；在第3道光罩制程中，形成源极140以及漏极150的金属联机，并与半导体层130中的奥姆接触(Ohmic Contact)层(未图示)形成奥姆接面(Ohmic Contact)；在第4道光罩制程中，形成一保护层160，将保护层160曝露一开孔160a；最后，在第5道光罩制程中，定义一层透明导电层170的图案与该开孔160a接触。上述制程为公知的穿透式液晶显示器的薄膜晶体管面板的制造方法，需要历经5道光罩制程。

公知技术中，形成半穿透半反射液晶显示器还必须在每一像素结构中形成一反射面以反射环境光，如图2以及图3所示，其绘示图1中半穿透半反射式薄膜晶体管面板的制程剖视图。形成有机层例如一光阻层180，接着进行第6道光罩制程，将光阻层180图案化并使其表面形成具有复数个凸块(Bump)的凹凸状。然后溅镀一金属反射层190于前述构造的全部表面上，最后再利用第7道光罩制程，以将金属反射层190图案化，如图3所示，形成凹凸状的反射面区域。

如上所述，由于公知的半穿透半反射式薄膜晶体管面板的制造方法需至少经由7道光罩制程，其制程复杂且耗费制造时间。因此，生产效率不高并且制造成本居高不下。有鉴于此，本发明提供一种新式制造半穿透半反射式薄膜晶体管面板的方法，以改善上述的问题。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种半穿透半反射式薄膜晶体管面板的制造方法，其可藉由减少微影制程而简化制造步骤，藉此减少液晶显示器的制作成本。

本发明另一目的在于提供一种半穿透半反射式薄膜晶体管面板，其具有相变化材料形成的反射层，该反射层表面具有不规则的凹凸状表面，可将环境光反射的更散乱且更均匀，增加可视角的角度。