[发明专利]半导体材料包覆的用于光伏电池的新型半导体复合材料无效
申请号: | 200910210802.4 | 申请日: | 2009-11-11 |
公开(公告)号: | CN101807608A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 席君杰 | 申请(专利权)人: | 席君杰 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100035*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体材料 用于 电池 新型 半导体 复合材料 | ||
1.一种使用半导体材料完全包覆的(能增加半导体电子运动活性的)其他材料(被包覆的材料包括金属材料,非金属材料,合金材料,超导材料,其他半导体材料),制造成新型半导体复合材料用于制造太阳能晶体电池或薄膜电池,在制作的PN结上增加电位差,大幅提高太阳能光伏电池的转化率。在传统的高纯度半导体晶体,非晶体电池基础上,增加高纯度半导体晶体,非晶体材料包覆的其他材料而制造的新型半导体复合材料。,以提高半导体材料电子的活性,从而提高太阳能光伏电池的转化率。
2.根据权利要求1所述半导体材料包覆另一种其它材料的用于制造高效转化率的太阳能光伏电池的复合材料,新型半导体复合材料是用一种纯半导体材料(例如半导体硅,或纳米硅)在分子状态下,完全包覆在其它材料(包括金属材料,非金属材料,合金材料,超导材料,其他半导体材料)上,所生产的新型半导体复合材料。
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