[发明专利]半导体材料包覆的用于光伏电池的新型半导体复合材料无效
申请号: | 200910210802.4 | 申请日: | 2009-11-11 |
公开(公告)号: | CN101807608A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 席君杰 | 申请(专利权)人: | 席君杰 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100035*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体材料 用于 电池 新型 半导体 复合材料 | ||
技术领域
本发明属于功能性材料的应用范围,特别涉及一种半导体材料包覆的另一种能增加半导体电子运动活性材料的制造高效转化率太阳能光伏电池的半导体复合材料。大幅提高太阳能光伏电池的转化率。
背景技术
在太阳能光伏电池的产业中,半导体材料转化率较低或转化率较高的半导体成本材料成本较高,制约了太阳能光伏电池的推广应用。提高太阳能光伏电池的转化率,降低成本是一个发展方向。使用半导体材料包覆的增加半导体电子运动活性的材料(包括金属材料,非金属材料,合金材料,超导材料,其他半导体材料,)这种新型半导体复合材料能制造高效转化率太阳能光伏电池,复合材料在太阳能光伏电池发展中势在必行。这是一种制备太阳能光伏电池的新型半导体复合材料,未见其它报道。
发明内容
本发明的目的是提供一种使用半导体材料包覆的增加半导体电子运动活性的新型半导体复合材料(被包覆的材料包括金属材料,非金属材料,合金材料,超导材料,其他半导体材料)制造太阳能晶体电池或薄膜电池,其在制作的PN结上增加电位差,大幅提高太阳能光伏电池的转化率。在传统的高纯度半导体晶体,非晶体电池基础上,增加高纯度半导体晶体,非晶体材料包覆的其他材料,以提高半导体材料电子的活性,从而提高太阳能光伏电池的转化率。
所述的半导体材料包覆的增加半导体电子运动活性的材料,是包括金属材料,非金属材料,合金材料,超导材料,其他半导体材料中的一种或几种。
本发明的效益是利用新型半导体复合材料提高半导体电子的活性,增加电位差,大幅提高太阳能光伏电池的转化率。降低成本。
具体实施方式
本发明是提供一种使用半导体材料包覆的增加半导体电子运动活性的材料(被包覆的材料包括金属材料,非金属材料,合金材料,超导材料,其他半导体材料),在制造太阳能晶体电池或薄膜电池上的新型半导体复合材料,这种新型半导体复合材料是用半导体材料(例如半导体硅,或纳米硅)在分子状态下,完全包覆在其它材料(被包覆的材料包括金属材料,非金属材料,合金材料,超导材料,其他半导体材料)上,然后用新型半导体复合材料制造成复合材料的晶体,非晶体太阳能电池,这种半导体复合材料能大幅提高PN结的电位差,从而制造出高效转化率太阳能光伏电池。
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