[发明专利]具有金属柱结构的芯片有效
申请号: | 200910211805.X | 申请日: | 2009-10-30 |
公开(公告)号: | CN102054810A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 罗健文;陈建汎 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L23/488 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 金属 结构 芯片 | ||
1.一种具有金属柱结构的芯片,包括:
一芯片本体,具有一主动面;
至少一芯片焊垫,位于该主动面;
一第一保护层,位于该主动面上,且具有至少一第一开口以显露部分该芯片焊垫;
一球下金属层,位于该芯片焊垫上;及
至少一金属柱结构,位于该球下金属层上,包括:
一金属柱,位于该球下金属层上;及
一焊料,位于该金属柱上,该焊料所形成的最大直径小于或等于该金属柱的直径。
2.如权利要求1的芯片,其中二个相邻的金属柱结构之中心轴的距离定义为一间距,该间距小于或等于150μm。
3.如权利要求1的芯片,其中该金属柱结构更包括一阻隔层位于该金属柱上,该焊料位于该阻隔层上。
4.如权利要求3的芯片,其中该阻隔层的材质为镍。
5.如权利要求1的芯片,其中该金属柱的外周面与该球下金属层的外周面切齐。
6.如权利要求1的芯片,其中该金属柱的材质为铜。
7.如权利要求1的芯片,其中该焊料的高度小于或等于该金属柱的半径。
8.如权利要求1的芯片,其中该焊料为一半球体。
9.如权利要求1的芯片,更包括一第二保护层,位于该第一保护层上,且具有至少一第二开口以显露部分该芯片焊垫。
10.如权利要求9的芯片,其中该第二保护层的第二开口小于该第一保护层的第一开口。
11.如权利要求9的芯片,其中该第二保护层的第二开口大于该第一保护层的第一开口,该第二开口更显露部分该第一保护层。
12.一种具有金属柱结构的芯片,包括:
一芯片本体,具有一主动面;
至少一芯片焊垫,位于该主动面;
一第一保护层,位于该主动面上,且具有至少一第一开口以显露部分该芯片焊垫;
一球下金属层,位于该芯片焊垫上;及
至少一金属柱结构,位于该球下金属层上,包括:
一金属柱,位于该球下金属层上,且具有一金属柱外周面;及
一焊料,位于该金属柱的外周面向上假想延伸的范围内。
13.如权利要求12的芯片,其中二个相邻的金属柱结构的中心轴的距离定义为一间距,该间距小于或等于150μm。
14.如权利要求12的芯片,其中该金属柱结构更包括一阻隔层位于该金属柱上,该焊料位于该阻隔层上。
15.如权利要求14的芯片,其中该阻隔层的材质为镍。
16.如权利要求12的芯片,其中该金属柱的外周面与该球下金属层的外周面切齐。
17.如权利要求12的芯片,其中该金属柱的材质为铜。
18.如权利要求12的芯片,其中该焊料的高度小于或等于该金属柱的半径。
19.如权利要求12的芯片,其中该焊料为一半球体。
20.如权利要求12的芯片,更包括一第二保护层,位于该第一保护层上,且具有至少一第二开口以显露部分该芯片焊垫。
21.如权利要求20的芯片,其中该第二保护层的第二开口小于该第一保护层的第一开口。
22.如权利要求20的芯片,其中该第二保护层的第二开口大于该第一保护层的第一开口,该第二开口更显露部分该第一保护层。
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