[发明专利]具有金属柱结构的芯片

说明书

技术领域

本发明是关于一种芯片，详言之，是关于一种具有金属柱结构的芯片。

背景技术

参考图1，显示已知具有金属柱结构的芯片的剖面示意图。该已知具有金属柱结构的芯片1包括一芯片本体11、至少一芯片焊垫12、一第一保护层13、一球下金属层14及至少一金属柱结构15。该芯片本体11具有一主动面111。该芯片焊垫12位于该主动面111。该第一保护层13位于该主动面111上，且具有至少一第一开口131以显露部分该芯片焊垫12。该球下金属层14位于该芯片焊垫12上。该金属柱结构15位于该球下金属层14上，且包括一金属柱16及一焊料17。该金属柱16位于该球下金属层14上，且具有一金属柱外周面161。该焊料17位于该金属柱16上，且该焊料17所形成的最大直径大于该金属柱16的直径，而突出于该金属柱16的外周面161向上假想延伸的范围外。

该已知具有金属柱结构的芯片1的缺点如下。当该芯片1中二个相邻金属柱结构15之间距为微间距(Fine Pitch)，且该等焊料17所形成的最大直径大于该等金属柱16的直径时，二个相邻焊料17很容易产生桥接(Bridge)的问题，进而造成短路的情况。

因此，有必要提供一种具有金属柱结构的芯片，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种具有金属柱结构的芯片，其包括一芯片本体、至少一芯片焊垫、一第一保护层、一球下金属层及至少一金属柱结构。该芯片本体具有一主动面。该芯片焊垫位于该主动面。该第一保护层位于该主动面上，且具有至少一第一开口以显露部分该芯片焊垫。该球下金属层位于该芯片焊垫上。该金属柱结构位于该球下金属层上，且包括一金属柱及一焊料。该金属柱位于该球下金属层上。该焊料位于该金属柱上，且该焊料所形成的最大直径小于或等于该金属柱的直径。

本发明更提供一种具有金属柱结构的芯片，其包括一芯片本体、至少一芯片焊垫、一第一保护层、一球下金属层及至少一金属柱结构。该芯片本体具有一主动面。该芯片焊垫位于该主动面。该第一保护层位于该主动面上，且具有至少一第一开口以显露部分该芯片焊垫。该球下金属层位于该芯片焊垫上。该金属柱结构位于该球下金属层上，且包括一金属柱及一焊料。该金属柱位于该球下金属层上，且具有一金属柱外周面。该焊料位于该金属柱的外周面向上假想延伸的范围内。

藉此，当该芯片中二个相邻金属柱结构之间距为微间距时，可避免已知技术中焊料桥接的问题，以提升良率。

附图说明

图1显示已知具有金属柱结构的芯片的剖面示意图；

图2至图8显示本发明具有金属柱结构的芯片的第一实施例的制造方法的示意图；

图9显示本发明具有金属柱结构的芯片的第二实施例的剖面示意图；

图10显示本发明具有金属柱结构的芯片的第三实施例的剖面示意图；及

图11至图17显示本发明具有金属柱结构的芯片的第四实施例的制造方法的示意图。

具体实施方式

参考图2至图8，显示本发明具有金属柱结构的芯片的制造方法的示意图。参考图2，提供一芯片本体21、至少一芯片焊垫22、一第一保护层23及一溅镀层24。该芯片本体21具有一主动面211。该芯片焊垫22位于该主动面211。该第一保护层23位于该主动面211上，且具有至少一第一开口231以显露部分该芯片焊垫22。该溅镀层24覆盖该第一保护层23及部分该芯片焊垫22。参考图3，形成一光阻25于该溅镀层24上，该光阻25具有至少一光阻开口251，该光阻开口251显露部分该溅镀层24，且该光阻开口251的位置对应该芯片焊垫22。

参考图4，形成一金属柱26于该光阻开口251内，该金属柱26位于该溅镀层24上，该金属柱26的材质为铜(Cu)，且该金属柱26的高度不限。参考图5，形成一焊料27于该光阻开口251内，该焊料27位于该金属柱26上，且该金属柱26及该焊料27形成一金属柱结构28。