[发明专利]一种对于临界电压变异有免疫效果的电流源及其产生方法

权利要求书

1.一种电流源，用以驱动一第一金属氧化物半导体晶体管以产生一预定电 流，其特征在于，该电流源包含：

一反馈电路，包含：

一第二金属氧化物半导体晶体管，包含：

一源极端，耦接于一偏压源；

一控制端；及

一漏极端，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的控制端；

一第三金属氧化物半导体晶体管，包含：

一源极端，耦接于该偏压源；

一控制端，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的控制端；及

一漏极端；

一第四金属氧化物半导体晶体管，包含：

一漏极端，耦接于该第三金属氧化物半导体晶体管的该漏极端；

一控制端，用以接收一控制电压；及

一源极端，耦接于一地端；及

一第五金属氧化物半导体晶体管，包含：

一漏极端，耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的该漏极端；

一控制端，用以输出该控制电压；及

一源极端，耦接于该地端；

一第一电阻，耦接于该地端与该第五金属氧化物半导体晶体管的控制端之 间；及

一金属氧化物半导体电路，包含：

一源极端，耦接于该偏压源；

一控制端，耦接于该第四金属氧化物半导体晶体管的该漏极端；及

一漏极端，耦接于该第五金属氧化物半导体晶体管的该控制端；

其中该第一、第二、第三金属氧化物半导体晶体管为P型金属氧化物半导 体晶体管；该第四及第五金属氧化物半导体晶体管为N型金属氧化物半导体 晶体管。

2.根据权利要求1所述的电流源，其特征在于，该金属氧化物半导体电路 包含一第六金属氧化物半导体晶体管，该第六金属氧化物半导体晶体管的临界 电压高于该第一金属氧化物半导体晶体管的临界电压。

3.根据权利要求1所述的电流源，其特征在于，该金属氧化物半导体电路 包含一第六金属氧化物半导体晶体管，该第六金属氧化物半导体晶体管为P 型金属氧化物半导体晶体管。

4.根据权利要求1所述的电流源，其特征在于，该金属氧化物半导体电 路包含一第六金属氧化物半导体晶体管，该第六金属氧化物半导体晶体管的通 道长宽比低于该第一金属氧化物半导体晶体管的通道长宽比。

5.根据权利要求1所述的电流源，其特征在于，该电流源另包含一电阻， 耦接于该第四金属氧化物半导体晶体管的该源极端、该第五金属氧化物半导体 晶体管的该源极与该地端之间。

6.根据权利要求1所述的电流源，其特征在于，该金属氧化物半导体电路 包含多个串接的金属氧化物半导体晶体管，每一金属氧化物半导体晶体管的一 控制端与该金属氧化物半导体电路的该控制端相耦合，该多个串接金属氧化物 半导体晶体管中的一第六金属氧化物半导体晶体管的一源极端与该金属氧化 物半导体电路的该源极端相耦合，该多个串接金属氧化物半导体晶体管中的一 第七金属氧化物半导体晶体管的一漏极端与该金属氧化物半导体电路的该漏 极端相耦合。

7.根据权利要求6所述的电流源，其特征在于，在该多个串接金属氧化物 半导体晶体管中每一金属氧化物半导体晶体管的通道长宽，约等同于该第一金 属氧化物半导体晶体管的通道长宽比。

8.根据权利要求6所述的电流源，其特征在于，在该多个串接金属氧化物 半导体晶体管中每一金属氧化物半导体晶体管的临界电压，约等同于该第一金 属氧化物半导体晶体管的临界电压。