[发明专利]半导体发光器件有效
申请号: | 200910212291.X | 申请日: | 2009-11-16 |
公开(公告)号: | CN101740686A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 丁换熙 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;王春伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件,包括:
多个化合物半导体层,其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电 半导体层;
在所述多个化合物半导体层下方的垫;
在所述多个化合物半导体层上的电极层;
在所述电极层和所述化合物半导体层之间的欧姆接触层;
在所述电极层的周边部分处形成的沟道层;
设置在所述电极层上并对应于所述垫的减震构件;和
形成在所述电极层和所述减震构件上的导电支撑构件,
其中所述减震构件形成在所述电极层和所述导电支撑构件之间,
其中所述沟道层形成在所述电极层和所述多个化合物半导体层之间,
其中所述沟道层的内部部分形成在所述多个化合物半导体层上,所述 沟道层的外部部分从所述多个化合物半导体层的侧壁向外延伸,和
其中所述导电支撑构件与所述电极层和所述减震构件接触。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述减震构件形成在所 述电极层的第一区域中,并且所述垫形成在所述第一导电半导体层下方对 应于所述第一区域处。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件,其中所述减震构件具有 大于所述垫的尺寸以吸收从所述垫传递的震动。
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件,其中所述减震构件的尺寸小 于所述电极层的尺寸并且形成在所述电极层的中心区域中。
5.根据权利要求4所述的半导体发光器件,其中所述沟道层由金属氧化 物或金属氮化物形成。
6.根据权利要求3所述的半导体发光器件,其中所述减震构件包括W和 Mo中的至少一种。
7.根据权利要求3所述的半导体发光器件,其中所述减震构件通过使用 具有高熔点的金属材料形成为1μm~10μm的厚度。
8.根据权利要求4所述的半导体发光器件,其中所述沟道层由导电层形 成。
9.根据权利要求3所述的半导体发光器件,其中所述沟道层包括选自 SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2、ITO、IZO、IZTO、IAZO、 IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au 和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种。
10.根据权利要求8所述的半导体发光器件,还包括包围所述多个化合物 半导体层的周边部分的凹陷,
其中所述凹陷将所述导电支撑构件与所述第二导电半导体层间隔开。
11.一种半导体发光器件,包括:
多个化合物半导体层,其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电 半导体层;
在所述第一导电半导体层的周边部分处的透明沟道层;
在所述多个化合物半导体层下方的垫;
在所述化合物半导体层上的电极层;
在所述电极层和所述化合物半导体层之间的欧姆接触层;
在所述电极层上的导电支撑构件;
包围所述多个化合物半导体层的周边部分的凹陷;和
对应于所述垫并且形成在所述电极层和所述导电支撑构件之间的减震 构件,
其中所述导电支撑构件形成在所述电极层和所述减震构件上,
其中所述透明沟道层形成在所述电极层和所述多个化合物半导体层之 间,
其中所述透明沟道层的内部部分形成在所述多个化合物半导体层上, 所述透明沟道层的外部部分从所述多个化合物半导体层的侧壁向外延伸,
其中所述透明沟道层的外部部分暴露于所述凹陷,和
其中所述导电支撑构件与所述电极层和所述减震构件接触。
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