[发明专利]半导体发光器件

说明书

相关申请

根据35U.S.C.119和35U.S.C.365，本申请要求韩国专利申请 10-2008-0113227(2008年11月14日提交)的优先权，通过引用将其全部 内容并入本文。

技术领域

本发明实施方案涉及半导体发光器件。

背景技术

III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而作为发光二极管 (LED)或激光二极管(LD)的芯材料得到关注。IH-V族氮化物半导体 主要包括组成通式为In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体 材料。

LED是一种半导体器件，其利用化合物半导体的特性通过将电转化为 红外线或光来传输/接收信号并且用作光源。

采用这种氮化物半导体的LED和LD主要用于发光器件以获得光，并 已经作为光源应用于各种设备(例如，便携式电话的键盘、电布告板、照 明装置的发光部件)。

发明内容

本发明实施方案提供一种半导体发光器件，其包括在对应于垫的位置 处提供的减震构件。

本发明实施方案提供一种半导体发光器件，其包括在对应于垫的多个 化合物半导体层上提供的减震构件。

本发明实施方案提供一种半导体发光器件，其包括在多个化合物半导 体层上提供的减震构件和在所述化合物半导体层的周边部分下方的沟道 层。一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体 层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合 物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和设置在 所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。

一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体 层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在第一导电半导 体层的周边部分的透明沟道层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在 所述多个化合物半导体层上的电极层；在所述电极层上的导电支撑构件； 和对应于所述垫并形成在电极层和导电支撑构件之间的减震构件。

在附图和以下说明中阐述了一个或多个实施方案的细节。通过说明书 和附图以及通过权利要求将使其它特征变得显而易见。

附图说明

图1是示出根据第一实施方案的半导体发光器件的侧视截面图；

图2是图1的底视图；

图3～9是示出图1的半导体发光器件的制造方法的图；

图10是示出根据第二实施方案的半导体发光器件的侧视截面图；

图11是示出根据第三实施方案的半导体发光器件的侧视截面图；和

图12是示出根据第四实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。

具体实施方式

以下，将参考附图来描述根据实施方案的半导体发光器件。

在关于实施方案的说明中，附图所示元件的尺寸只是用于说明性目的， 实施方案不限于此。

在实施方案的说明中，应理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构 被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“之 上”或“之下”时，其可以“直接地”或“间接地”在其它的衬底、层(或膜)、 区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。层的这种位置已 经参照附图进行描述。

图1是示出根据第一实施方案的半导体发光器件100的侧视截面图， 图2是图1的底视图。

参照图1和2，半导体发光器件100包括：第一导电半导体层110、有 源层120、第二导电半导体层130、电极层150、减震构件155、导电支撑 构件160和垫170。

半导体发光器件100包括基于多个化合物半导体例如III-V族元素化 合物半导体的发光二极管(LED)。LED可以是发蓝光、绿光或红光的有色 LED或UV LED。在实施方案范围内，LED发出的光可以不同。

化合物半导体层包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电 半导体层130。