[发明专利]互补型金属氧化物半导体图像感测器及其操作方法

权利要求书

1.一种互补型金属氧化物半导体图像感测器，其特征在于，所述图像感测器包括：

一像素阵列单元，用以感测一物件，所述像素阵列单元包括M个像素以及P个多工器，每一所述M个像素分别与所述P个多工器的其中之一电性连接，M为一正整数，P为一小于或等于M的正整数；

一列驱动单元，与所述P个多工器电性连接，用以产生一列选择信号；以及

一逻辑电路，与所述P个多工器电性连接，用以计算对应所述物件的一感测区域，所述感测区域包括所述M个像素中的N个像素，N为一小于或等于M的正整数，所述逻辑电路并且用以控制与所述N个像素电性连接的Q个多工器将所述列选择信号供应给所述N个像素，Q为一小于或等于N且小于或等于P的正整数。

2.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体图像感测器，其特征在于，所述图像感测器还包括一读出电路，与所述像素阵列单元电性连接，所述读出电路是用以列为主的顺序读取所述感测区域的所述N个像素所产生的信号，并当所述感测区域超出所述像素阵列单元的一实体区域时，所述读出电路在超出的部分加入至少一虚拟像素，且所述感测区域为一平行四边形。

3.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体图像感测器，其特征在于，当P小于M时，所述M个像素中的至少两个像素同时电性连接至所述P个多工器中的一个多工器，且所述至少两个像素位于所述像素阵列单元中的不同行和同一列。

4.一种互补型金属氧化物半导体图像感测器的操作方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：

通过一像素阵列单元感测一物件，所述像素阵列单元包括M个像素以及P个多工器，每一所述M个像素分别与所述P个多工器的其中之一电性连接，M为一正整数，P为一小于或等于M的正整数；

计算对应所述物件的一感测区域，所述感测区域包括所述M个像素中的N个像素，N为一小于或等于M的正整数；

产生一列选择信号；以及

控制与所述N个像素电性连接的Q个多工器将所述列选择信号供应给所述N个像素，Q为一小于或等于N且小于或等于P的正整数。

5.如权利要求4所述的操作方法，其特征在于，所述方法还包括下列步骤：

用以列为主的顺序读取所述感测区域的所述N个像素所产生的信号，当所述感测区域超出所述像素阵列单元的一实体区域时，在超出的部分加入至少一虚拟像素，且所述感测区域为一平行四边形。

6.如权利要求4所述的操作方法，其特征在于，当P小于M时，所述M个像素中的至少两个像素同时电性连接至所述P个多工器中的一个多工器，且所述至少两个像素位于所述像素阵列单元中的不同行和同一列。

7.一种互补型金属氧化物半导体图像感测器，其特征在于，所述图像感测器包括：

一像素阵列单元，用以感测一物件，所述像素阵列单元包括M个像素，M为一正整数；

一列驱动单元，与所述像素阵列单元电性连接，用以产生一列选择信号，所述列选择信号控制所述M个像素输出其所产生的信号；

一读出电路，与所述像素阵列单元电性连接，用以读取所述M个像素所产生的信号；以及

一逻辑电路，与所述读出电路电性连接，用以计算对应所述物件的一感测区域，所述感测区域包括所述M个像素中的N个像素，N为一小于或等于M的正整数，所述逻辑电路计算位于所述感测区域中的每一列的一第一个像素与一最后一个像素，并且控制所述读出电路用以列为主的顺序自每一列的所述第一个像素读取至所述最后一个像素，以输出所述N个像素所产生的信号。

8.如权利要求7所述的互补型金属氧化物半导体图像感测器，其特征在于，当所述感测区域超出所述像素阵列单元的一实体区域时，所述读出电路在超出的部分加入至少一虚拟像素，且所述感测区域为一平行四边形。