[发明专利]互补型金属氧化物半导体图像感测器及其操作方法

说明书

技术领域

本发明关于一种互补型金属氧化物半导体(complementary metal oxidesemiconductor，CMOS)图像感测器及其操作方法，尤指一种可通过自我校正方式来改善组装良品率的CMOS图像感测器及其操作方法。

背景技术

由于近年来图像感测器的发展及图像处理速度提高，使得光电式触控屏幕愈来愈受到重视。目前，图像感测器大致上可分类成电荷耦合元件(chargecoupled device，CCD)图像感测器以及CMOS图像感测器。一般而言，CCD图像感测器比CMOS图像感测器具有更少的噪声(noise)，且可产生更好的图像品质。然而，CMOS图像感测器可将信号处理电路整合于单一芯片上，使得产品易于小型化。此外，CMOS图像感测器在功率消耗上非常低，因此，CMOS图像感测器的应用也愈来愈广泛。

请参阅图1，图1为现有技术的光电式触控屏幕1的示意图。如图1所示，光电式触控屏幕1包含触控面板10以及两个CMOS图像感测器12、14。CMOS图像感测器12、14分别设置在触控面板10的两侧。当使用者使用手指、触控笔等物件16在触控面板10上进行操作时，CMOS图像感测器12、14即会分别感测到物件16的投影，此时，只要知道投影位置到触控位置的角度，再量测两个CMOS图像感测器12、14之间的距离，就可以算出触控位置的座标。

请参阅图2以及图3，图2为物件16的移动轨迹160在图1中的CMOS图像感测器12上的投影示意图，图3为物件16的移动轨迹160′在图1中的CMOS图像感测器12上的投影示意图。以CMOS图像感测器12为例，如果CMOS图像感测器12与触控面板10在组装时没有发生偏差或歪斜，则物件16的移动轨迹160在CMOS图像感测器12的像素阵列单元120上的投影即会呈现如图2所示的方正的四边形。然而，如果CMOS图像感测器12与触控面板10在组装时受到组装公差的影响而发生偏差或歪斜，则物件16的移动轨迹160′在CMOS图像感测器12的像素阵列单元120上的投影即会呈现如图3所示的歪斜的平行四边形。此时，读出电路122便需要抓取更多的像素数据以供后端的演算法进行判断，才能消除组装公差的影响，进而增加系统的操作频率及功耗。

发明内容

因此，本发明的目的之一在于提供一种CMOS图像感测器及其操作方法，可通过自我校正方式来改善组装良品率，以解决上述问题。

根据一实施例，本发明的CMOS图像感测器包含一像素阵列单元、一列驱动单元以及一逻辑电路。所述像素阵列单元用以感测一物件，其中，所述像素阵列单元包含M个像素以及P个多工器，每一所述M个像素分别与所述P个多工器的其中之一电性连接，M为一正整数，且P为一小于或等于M的正整数。所述列驱动单元以及所述逻辑电路分别与所述P个多工器电性连接。所述列驱动单元用以产生一列选择信号。所述逻辑电路则用以计算对应所述物件的一感测区域，其中，所述感测区域包含所述M个像素中的N个像素，N为一小于或等于M的正整数。此外，所述逻辑电路并且用以控制与所述N个像素电性连接的Q个多工器将所述列选择信号供应给所述N个像素，Q为一小于或等于N且小于或等于P的正整数。

根据另一实施例，本发明的CMOS图像感测器的操作方法包含下列步骤：通过一像素阵列单元感测一物件，其中，所述像素阵列单元包含M个像素以及P个多工器，每一所述M个像素分别与所述P个多工器的其中之一电性连接，M为一正整数，且P为一小于或等于M的正整数；计算对应所述物件的一感测区域，其中，所述感测区域包含所述M个像素中的N个像素，N为一小于或等于M的正整数；产生一列选择信号；以及控制与所述N个像素电性连接的Q个多工器将所述列选择信号供应给所述N个像素，Q为一小于或等于N且小于或等于P的正整数。