[发明专利]一种制备高纯球形纳米二氧化硅的方法无效
| 申请号： | 200910218379.2 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101746767A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 马文会;谢克强;周阳;秦博;杨斌;杨振伟;魏奎先;朱文杰;伍继君;刘大春;刘永成;周晓奎;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;B82B3/00 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 赵云 |
| 地址： | 650093 云南省昆明*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高纯 球形 纳米 二氧化硅 方法 | ||
1.一种制备高纯球形纳米二氧化硅的方法，其特征是工艺步骤如下：将含SiO2原料在450～1000℃下处理，研磨成粉，酸浸除杂；等离子体反应炉内密闭进行氢热还原，生成Si气体和SiO气体；以10～1000℃/min的速度冷却，SiO歧化反应，离开等离子体区的气体生成Si和SiO2球形纳米颗粒；SiO2和Si的混合物加热到300～800℃氧化处理，最后得到高纯球形纳米SiO2。
2.按权利要求1所述的制备高纯球形纳米二氧化硅的方法，其特征是：
(1)含SiO2原料加热处理时间为1～5h，研磨粒度为50目以下，采用0.5～4mol/L盐酸酸浸，时间为0.1～3h，酸浸后用蒸馏水洗涤2～5次，在真空干燥箱里烘干，烘干温度为80～120℃，时间为0.5～3h，最后将粉末在0.6～5MPa下压块；
(2)离子体反应炉内反应压力控制在10～110kPa，氢气流量为1～10L/min，反应时间为10～50min；
(3)SiO2和Si的混合物加热氧化处理时间为10～60min，氧气流速为0.25L/min～10L/min。
3.按权利要求2所述的制备高纯球形纳米二氧化硅的方法，其特征是：离子体反应炉内反应时通入氩作为保护气，氩气流量为10～100L/min。
4.按权利要求2所述的制备高纯球形纳米二氧化硅的方法，其特征是：含SiO2原料采用火力发电厂燃料燃烧灰、稻壳灰、二氧化硅矿中的一种或几种。
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