[发明专利]非易失性存储装置及其读取方法有效
申请号: | 200910220889.3 | 申请日: | 2009-11-16 |
公开(公告)号: | CN101740129A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 李昌炫;崔正达;崔炳仁 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;王艳娇 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 及其 读取 方法 | ||
1.一种非易失性存储装置,所述非易失性存储装置包括:
存储单元阵列,连接到多条字线;
电压产生器,用于在执行读取操作时,将选择的读取电压提供到所述多 条字线中的选择的字线,将未选的读取电压提供到所述多条字线中的未选的 字线,
其中,电压产生器根据未选的字线是否与选择的字线相邻而产生电平不 同的未选的读取电压,
其中,当连接到选择的字线的选择的存储单元的阈值电压降低时,电压 产生器将未选的读取电压提供到与选择的字线相邻的上字线和下字线中的至 少一条字线,该未选的读取电压低于提供到其他未选的字线的未选的读取电 压,
其中,当连接到选择的字线的选择的存储单元的阈值电压升高时,电压 产生器将未选的读取电压提供到与选择的字线相邻的上字线和下字线中的至 少一条字线,该未选的读取电压高于提供到其他未选的字线的未选的读取电 压。
2.一种非易失性存储装置的读取方法,所述读取方法包括如下步骤:
通过将选择的读取电压施加到选择的字线并将未选的读取电压施加到未 选的字线来执行第一读取操作;
检测在第一读取操作中是否出现错误;
当在第一读取操作中出现错误时,通过改变与选择的字线相邻的字线的 电压来执行第二读取操作,
其中,当连接到选择的字线的选择的存储单元的阈值电压降低时,将未 选的读取电压提供到与选择的字线相邻的上字线和下字线中的至少一条字 线,该未选的读取电压低于提供到其他未选的字线的未选的读取电压,
其中,当连接到选择的字线的选择的存储单元的阈值电压升高时,将未 选的读取电压提供到与选择的字线相邻的上字线和下字线中的至少一条字 线,该未选的读取电压高于提供到其他未选的字线的未选的读取电压。
3.如权利要求2所述的读取方法,其中,通过误差校正电路来检测在第 一读取操作中是否出现错误。
4.如权利要求2所述的读取方法,所述读取方法还包括:
在执行第二读取操作的过程中,还改变施加到选择的字线的选择的读取 参考电压。
5.如权利要求2所述的读取方法,所述读取方法还包括:
当在第二读取操作中出现错误时,通过改变施加到选择的字线的选择的 读取电压来执行第三读取操作。
6.如权利要求2所述的读取方法,所述读取方法还包括:
当在第二读取操作中出现错误时,检测改变与选择的字线相邻的字线的 电压的次数是否超过参考次数;
当改变与选择的字线相邻的字线的电压的次数超过参考次数时,通过改 变施加到选择的字线的选择的读取电压来执行第三读取操作。
7.一种非易失性存储装置的读取方法,所述读取方法包括如下步骤:
通过将选择的读取电压施加到监视字线并将未选的读取电压施加到未选 的字线来执行读取操作;
检测存储在连接到监视字线的监视单元中的数据是否被正常地读取;
当存储在监视单元中的数据没有被正常地读取时,通过改变与监视字线 相邻的字线的电压来对监视单元再次执行读取操作,
当存储在监视单元中的数据被正常地读取时,通过将电压提供到与选择 的字线相邻的字线来对选择的存储单元执行读取操作,该电压的电平和与监 视字线相邻的字线的电压的电平相同。
8.如权利要求7所述的读取方法,所述读取方法还包括:
当存储在监视单元中的数据没有被正常地读取并且改变与监视字线相邻 的字线的电压的次数超过参考次数时,通过改变施加到监视字线的选择的读 取电压来对监视单元执行读取操作。
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