[发明专利]薄体双极器件

权利要求书

1.一种薄体双极器件，包括：

半导体衬底；

半导体鳍片，被构造在所述半导体衬底之上；

所述半导体鳍片的第一区域，具有第一导电类型，所述第一区域用作所述薄体双极器件的基极；以及

所述半导体鳍片的第二和第三区域，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述第二和第三区域与所述第一区域并置并且被所述第一区域分离，所述第二和第三区域分别用作所述薄体双极器件的发射极和集电极。

2.根据权利要求1所述的薄体双极器件，还包括插入所述半导体鳍片与所述半导体衬底之间的绝缘层。

3.根据权利要求1所述的薄体双极器件，其中，所述第一区域由在所述半导体鳍片的两个侧壁上的多晶硅层围绕，其中，氧化层将所述第一区域和所述多晶硅层分离，所述多晶硅层还覆盖所述的第一区域的顶部，其中，所述氧化层将所述第一区域与所述多晶硅层分离。

4.根据权利要求1所述的薄体双极器件，其中，所述衬底包括选自由硅(Si)、锗(Ge)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)、锗化硅(SiGe)、砷化镓(GaAs)组成的组中的材料。

5.根据权利要求1所述的薄体双极器件，其中，所述基极接触形成在所述第一区域的顶部上。

6.根据权利要求2所述的薄体双极器件，其中，所述基极连接被形成穿过所述衬底或被形成穿过所述绝缘层和所述衬底。

7.根据权利要求1所述的薄体双极器件，其中，所述第一导电类型是N型以及所述第二导电类型是P型，或者所述第一导电类型是P型以及所述第二导电类型是N型。

8.一种薄体双极器件，包括：

半导体衬底； 

绝缘层，形成在所述半导体衬底之上；

半导体鳍片，被构造在所述绝缘层之上；

所述半导体鳍片的第一区域，具有第一导电类型，所述第一区域用作所述薄体双极器件的基极；以及

所述半导体鳍片的第二和第三区域，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述第二和第三区域与所述第一区域并置并被所述第一区域分离，所述第二和第三区域分别用作所述薄体双极器件的发射极和集电极。

9.根据权利要求8所述的薄体双极器件，其中，所述第一区域由在所述半导体鳍片的两个侧壁上的多晶硅层围绕，其中，氧化层将所述第一区域与所述多晶硅层分离。

10.根据权利要求9所述的薄体双极器件，其中，所述多晶硅层还覆盖所述第一区域的顶部，其中，所述氧化层将所述第一区域与所述多晶硅层分离。

11.根据权利要求8所述的薄体双极器件，其中，所述衬底包括选自由硅(Si)、锗(Ge)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)、锗化硅(SiGe)、砷化镓(GaAs)组成的组中的材料。

12.根据权利要求8所述的薄体双极器件，其中，基极接触形成在所述第一区域的顶部上。

13.根据权利要求8所述的薄体双极器件，其中，基极连接被形成穿过所述绝缘层和所述衬底。

14.根据权利要求8所述的薄体双极器件，其中，所述第一导电类型是N型以及所述第二导电类型是P型，或者所述第一导电类型是P型以及所述第二导电类型是N型。