[发明专利]封装件及其制造方法无效
申请号: | 200910221915.4 | 申请日: | 2009-11-23 |
公开(公告)号: | CN102074514A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 杜茂华 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;杨静 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装件领域,更具体地讲,本发明涉及一种封装件及其制造方法。
背景技术
随着电子工业的不断发展,需要开发更加小巧轻薄的半导体芯片。已经开发出了各种封装技术,例如,晶圆级封装(WLP)技术。在传统的WLP技术中,可以制造出大小与芯片的大小基本相同的封装件。
图1是示出根据现有技术的封装件的剖视图。如图1中所示,根据现有技术的封装件包括具有输入输出端口(例如,焊盘)2的芯片1、布线层3、阻焊层5、焊球6。焊盘2位于芯片1的下表面上,并电连接到布线层3,从而通过布线层3进行位置再分布。
在如图1中示出的现有技术的封装件中,芯片直接暴露到外部,从而容易损坏,例如,易受到外部冲击而损坏。另外,仅能在芯片大小(例如,芯片的下表面)的范围内设置焊球,从而工艺的难度会随着焊球数量的增加而提高。因此,难以应用于具有大量输入输出端口的芯片。
发明内容
示例实施例的目的在于克服由于在现有技术中的上述和其他缺点。为此,示例实施例提供了一种封装件,其特征在于包括:芯片,该芯片在下表面中具有焊盘;包封层,该包封层围绕所述芯片并暴露所述芯片的下表面;再布线层,该再布线层形成在所述芯片的下表面和所述包封层的下表面上,并电连接到所述芯片的焊盘;连接件,该连接件设置在所述再布线层上并在所述芯片的下表面和所述包封层的下表面下方,该连接件电连接到所述再布线层。
所述封装件还可以包括阻焊层,该阻焊层覆盖所述再布线层并暴露所述再布线层的预定位置,所述连接件设置在所述再布线层的由所述阻焊层暴露的预定位置处。所述连接件可以为焊球。
所述再布线层可以通过喷墨布线方法形成。所述再布线层可以利用含有银纳米颗粒或铜纳米颗粒的金属墨形成。
所述封装件还可以包括互连件,该互连件形成在所述芯片周围的所述包封层中,该互连件包括电连接到所述再布线层的一端和暴露到外部的另一端,该互连件用于将所述封装件电连接到外部装置。所述互连件可以为柱形,并垂直于所述芯片的下表面所在的平面。所述互连件可以为具有0.1mm至0.8mm的直径的圆柱形。所述互连件可以由焊料或铜形成。所述互连件的暴露到外部的另一端的表面上可以形成有焊盘。
根据本发明的示例实施例,提供了一种制造封装件的方法,其特征在于包括步骤:将多个芯片固定在临时载板上;在所述临时载板上形成包封层以包封所述多个芯片;去除所述临时载板,从而暴露所述多个芯片的下表面和所述包封层的下表面;在所述多个芯片的下表面和所述包封层的下表面上形成再布线层,使得该再布线层电连接到所述多个芯片的下表面中的焊盘;在所述再布线层上在所述多个芯片的下表面和所述包封层的下表面下方设置连接件,使得该连接件电连接到所述再布线层;将所述多个芯片分离为独立的封装件。
所述方法可以进一步包括:在形成所述再布线层的步骤之后,形成阻焊层以覆盖所述再布线层并暴露所述再布线层的将要设置所述连接件的预定位置。
形成所述布线层的步骤可以包括:采用喷墨布线方法将金属墨喷到所述多个芯片的下表面和所述包封层的下表面;使所述金属墨固化,以形成所述再布线层。
所述连接件可以为焊球,设置所述连接件的步骤可以进一步包括:将焊球放置在所述再布线层上,并执行回流处理。
所述方法还可以包括:将互连件固定在所述临时载板上;利用所述包封层包封所述互连件;去除所述临时载板,从而暴露所述多个芯片的下表面、所述包封层的下表面、所述互连件的下表面;形成电连接所述多个芯片的下表面中的焊盘和所述互连件的再布线层;去除包封层的位于所述互连件的上表面上的一部分,以将所述互连件的上表面暴露到外部,从而能够通过所述互连件将所述封装件电连接到外部装置。所述方法可以进一步包括:在所述互连件的暴露的上表面上形成焊盘。
根据示例实施例,由于采用包封层来包封芯片,从而可以防止芯片因外部环境的影响(例如,冲击)而损坏。
根据示例实施例,可以在封装件的芯片和包封层上形成连接件,从而增大了可以设置连接件的区域,并提高了可以设置的连接件的数量。因此根据示例实施例的封装件及其制造方法可以应用于集成度更高的芯片的封装。
根据示例实施例,由于直接在芯片上形成再布线层以取代了一般的引线键合工艺,从而可以实现更短的互联线。
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