[发明专利]在芯片封装中的保护薄膜涂层

权利要求书

1.一种封装微电子晶片的方法，该方法包括：

将所述晶片的第一表面附着到封装基板的第一表面上；

在所述晶片的第二表面上和所述封装基板的所述第一表面上形成基本 共形的绝缘薄膜；以及

在所述基本共形的绝缘薄膜涂层上施覆模塑料，

其中，形成所述基本共形的绝缘薄膜涂层的过程还包括：

喷涂环氧树脂、室温硫化的硅氧烷、氟化的硅氧烷、氟化的丙烯酸、或 聚氨酯。

2.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括：

在形成所述基本共形的绝缘薄膜涂层前，将引线从所述晶片的所述第二 表面键合至所述封装基板的所述第一表面；

当所述涂层形成于所述晶片上时，将该键合的引线包封在所述基本共形 的绝缘薄膜涂层内；

在施覆所述模塑料后，将焊料球附着到所述封装基板的第二表面；以及

在附着所述焊料球后，切割该封装基板。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，该方法还包括：

在形成所述基本共形的绝缘薄膜涂层前，底部填充所述晶片的所述第一 表面与所述封装基板的所述第一表面之间的区域；

当所述涂层形成于所述晶片上时，将所述底部填充包封在所述基本共形 的绝缘薄膜涂层中；

在施覆所述模塑料后，将焊料球附着到所述封装基板的第二表面；以及

在附着所述焊料球后，切割所述封装基板。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述喷涂为形成厚度为1-10μm 的所述基本共形的绝缘薄膜涂层的气溶胶沉积方法。

5.一种封装存储芯片的方法，该方法包括：

使用第一晶片附着材料将第一存储芯片附着到封装基板的第一表面；

将第一引线从所述第一存储芯片上的第一焊盘键合到所述封装基板的 所述第一表面上的第二焊盘；

使用第二晶片附着材料将第二存储芯片附着到所述第一存储芯片；

将第二引线从所述第二存储芯片上的第三焊盘键合到所述封装基板的 所述第一表面上的第四焊盘；

在所述第一存储芯片和所述第二存储芯片的叠层上，邻近所述第一晶片 附着材料和第二晶片附着材料，在所述第二焊盘和第四焊盘上形成基本共形 的绝缘薄膜涂层，并包封所述第一键合引线和所述第二键合引线，其中，形 成所述基本共形的绝缘薄膜涂层的过程还包括：喷涂环氧树脂、室温硫化的 硅氧烷、氟化的硅氧烷、氟化的丙烯酸、或聚氨酯；以及

将模塑料施覆到所述基本共形的绝缘薄膜上，以包围包封所述第一键合 引线和所述第二键合引线的所述基本共形的绝缘薄膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述基本共形的绝缘薄膜 涂层还包括气相沉积厚度为10-300nm的聚(对二甲苯)或氧化铝。

7.一种微电子封装体，该微电子封装体包括：

封装基板，该封装基板附着到微电子晶片的第一表面；

基本共形的绝缘薄膜涂层，该涂层在所述晶片的第二表面上和邻近所述 微电子晶片的所述封装基板的区域上；以及

模塑料，该模塑料在所述基本共形的绝缘薄膜上，

其中，所述基本共形的绝缘薄膜接触设置在所述晶片的第一表面与所述 封装基板的第一表面之间的晶片附着材料，以在所述晶片附着材料与所述模 塑料之间形成阻挡层，并且，其中，所述基本共形的绝缘薄膜涂层通过喷涂 环氧树脂、室温硫化的硅氧烷、氟化的硅氧烷、氟化的丙烯酸、或聚氨酯形 成。

8.根据权利要求7所述的微电子封装体，其中，该微电子封装体还包 括：

键合到所述晶片和所述封装基板第一表面的引线，其中所述基本共形的 绝缘薄膜包封了该引线，并且其中所述模塑料包封了该引线周围的所述基本 共形的绝缘薄膜。