[发明专利]可堆叠芯片的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造可堆叠芯片的方法，所述方法包括：

设置第一衬底；

在所述第一衬底中形成从所述第一衬底的第一表面延伸出的硅通孔，其中，所述硅通孔连接至所述第一衬底的所述第一表面上的导电层，并且所述导电层具有平坦的表面；

利用粘合剂将载体衬底接合至所述导电层；

将第二衬底接合至所述第一衬底的第二表面；

去除所述载体衬底；

去除所述粘合剂；以及

图样化所述导电层，以形成接触焊盘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将第二衬底接合至所述第一衬底的所述第二表面包括：

去除所述第一衬底的所述第二表面的一部分，以露出所述硅通孔；

在所述硅通孔的上方形成扩散势垒层；以及

将所述第二衬底的接触焊盘接合至所述第一衬底的相应硅通孔。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述第二衬底周围形成密封剂层，其中，所述密封剂层基本覆盖所述第二衬底以及所述第一衬底的所述第二表面，

其中，所述扩散势垒层包括非电镀镍/沉金(ENIG)层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，图样化所述导电层以形成所述接触焊盘包括：

图样化所述导电层，以形成导电元件；以及

图样化所述导电元件，以限定再分布层和所述接触焊盘。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，图样化所述导电层以形成所述接触焊盘还包括：

在所述再分布层和所述接触焊盘的上方形成缓冲层；以及

图样化所述缓冲层，以露出所述接触焊盘，

其中，所述缓冲层包括聚酰亚胺层。

6.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

设置第一衬底；

在所述第一衬底中形成硅通孔；

在所述第一衬底的第一表面的电路侧上形成导电层；

将第二衬底接合至所述第一衬底的第二表面，其中，所述第一衬底的第二表面与所述第一衬底的第一表面的相对；以及

在接合之后，图样化所述导电层，以形成接触焊盘。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述硅通孔从所述第一衬底的第一表面的电路侧延伸出并连接至所述第一衬底的第一表面的电路侧上的所述导电层，并且所述导电层具有平坦表面。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一衬底中的所述硅通孔和所述第一衬底的第一表面的电路侧上的所述导电层包括单个导电层，并且所述导电层具有平坦表面。

9.根据权利要求6所述的方法，还包括：

将粘合剂涂覆至所述导电层的表面；以及

将载体衬底接合至所述粘合剂。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述将第二衬底接合至所述第一衬底的第二表面包括：

去除所述第一衬底的第二表面的一部分，以露出所述硅通孔；

在所述第一衬底的第二表面上形成扩散层，用于覆盖部分露出的硅通孔；

将所述第二衬底的接触焊盘电连接至所述第一衬底的所述硅通孔；以及

在所述第二衬底的周围形成密封剂，其中，所述密封剂基本覆盖所述第二衬底以及所述第一衬底的第二表面，

其中，所述扩散层包括非电镀镍/沉金(ENIG)层。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，图样化所述导电层以形成所述电接触包括：

在所述导电层的上方形成第一掩模层，以在所述导电层上露出第一图案；

根据露出的所述第一图案图样化所述导电层，以形成导电元件；

在所述导电元件的上方形成第二掩模层，以在所述导电元件上露出第二图案；以及

根据露出的所述第二图案图样化所述导电元件，以限定再分布层和接触焊盘。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述再分布层和所述接触焊盘上方形成缓冲层；以及

图样化所述缓冲层，以露出所述接触焊盘，

其中，所述缓冲层包括聚酰亚胺层。