[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

多层布线结构，该多层布线结构形成在所述半导体衬底的上方， 并且在该多层布线结构中形成多个布线层，每个布线层由布线和绝缘 层形成；

存储器电路部分，该存储器电路部分形成在所述衬底上并且包括 电容元件，所述电容元件具有被掩埋在所述多层布线结构中的上电极、 下电极以及电容器绝缘层；以及

逻辑电路部分，该逻辑电路部分形成在所述衬底上，

其中，所述布线层中的至少两个或者更多的布线层被提供在与所 述下电极相连接的下电容器布线和与所述上电极相连接的上电容器布 线之间，并且，

所述上电容器布线和所述电容元件的上部形成在同一布线层中， 该同一布线层与构成所述逻辑电路部分的布线层的高度相同，并且构 成所述逻辑电路部分的布线层包括大马士革布线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，至少在提供所述电容元件的区域中的所述布线层的所有布 线由包含铜作为主要成分的布线材料形成。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述布线层的所有布线由包含铜作为主要成分的布线材料 形成。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述上电容器布线的上表面与被提供有所述上电容器布线 的所述布线层的布线的上表面共面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述上电容器布线直接连接至所述上电极。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在所述上电极和所述上电容器布线之间提供有连接通路。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述下电容器布线的上表面与被提供有所述下电容器布线 的所述布线层的布线的上表面共面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

与所述下电极相连接的所述下电容器布线被连接至与在所述半导 体衬底的表面附近形成的扩散层相连接的接触插塞，并且

用于半导体元件之间的连接的信号布线被与所述下电容器布线形 成在同一层中。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

位线，

其中，所述位线和所述下电容器布线被提供在同一层中。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述电容元件的结构具有这样一种形状，其中具有不同直 径的柱体被相互连接。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述绝缘层具有包含硅(Si)、氧(O)、以及碳(C)的低介电 常数SiOCH层和被提供在所述布线的上方的盖绝缘层的层压结构，并 且

在除了所述电容元件的开口之外的所述电容器绝缘层的下部中部 分地提供有二氧化硅层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，

其中，假定所述盖绝缘层的碳/硅比率是盖绝缘层(C/Si)，并且 所述低介电常数SiOCH层的碳/硅比率是低介电常数SiOCH层(C/Si)， 则所述盖绝缘层(C/Si)/所述低介电常数SiOCH层(C/Si)＜2。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，至少在提供有所述电容元件的区域中，所述布线层的高度 都相等并且所述布线的高度都相等。