[发明专利]声界面波装置的制造方法有效
申请号: | 200910222851.X | 申请日: | 2005-03-24 |
公开(公告)号: | CN101714858A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 门田道雄;神藤始 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H3/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 界面 装置 制造 方法 | ||
1.一种声界面波装置的制造方法,该声界面波装置按顺序叠层有第 1~第4媒质、且第1媒质与第2媒质间的界面上设有电极,该声界面波 装置的制造方法,包括:
准备按顺序叠层有第1~第3媒质、并在第1媒质与第2媒质的界面 上设有电极的叠层体的叠层体准备工序;
在上述叠层体准备工序后,调整第3媒质的膜厚,来调整频率、或声 表面波的声速的调整工序;以及,
在上述调整工序后,形成声速及/或材料与第3媒质不同的第4媒质, 而所传送的弹性波变为声界面波的工序。
2.如权利要求1所述的声界面波装置的制造方法,其特征在于:
在设声界面波的波长为λ时,上述第4媒质的厚度大于0.5λ。
3.如权利要求1或2所述的声界面波装置的制造方法,其特征在于:
至少1个媒质,具有层积了多个材料层的层积构造。
4.如权利要求1或2所述的声界面波装置的制造方法,其特征在于:
使用从Au、Ag、Cu、Fe、Ta、W、Ti以及Pt所构成的群中选择出的 1种金属,作为上述电极材料。
5.如权利要求1或2所述的声界面波装置的制造方法,其特征在于:
上述媒质层,使用从铌酸锂、铌酸钾、钽酸锂、四硼酸锂、硅酸镓镧 或铌酸镓镧、水晶、PZT(锆钛酸铅陶瓷)、ZnO、AIN、氧化硅、玻璃、 硅、蓝宝石、氮化硅以及氮化碳所构成的群中所选择出的至少1种材料构 成。
6.如权利要求1或2所述的声界面波装置的制造方法,其特征在于:
上述电极,是用来构成声界面波共振子或声界面波滤波器的电极,得 到声界面波共振子或声界面波滤波器作为声界面波装置。
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