[发明专利]声界面波装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910222851.X 申请日: 2005-03-24
公开(公告)号: CN101714858A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 门田道雄;神藤始 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/64 分类号: H03H9/64;H03H3/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 界面 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种声界面波装置的制造方法,该声界面波装置按顺序叠层有第 1~第4媒质、且第1媒质与第2媒质间的界面上设有电极,该声界面波 装置的制造方法,包括:

准备按顺序叠层有第1~第3媒质、并在第1媒质与第2媒质的界面 上设有电极的叠层体的叠层体准备工序;

在上述叠层体准备工序后,调整第3媒质的膜厚,来调整频率、或声 表面波的声速的调整工序;以及,

在上述调整工序后,形成声速及/或材料与第3媒质不同的第4媒质, 而所传送的弹性波变为声界面波的工序。

2.如权利要求1所述的声界面波装置的制造方法,其特征在于:

在设声界面波的波长为λ时,上述第4媒质的厚度大于0.5λ。

3.如权利要求1或2所述的声界面波装置的制造方法,其特征在于:

至少1个媒质,具有层积了多个材料层的层积构造。

4.如权利要求1或2所述的声界面波装置的制造方法,其特征在于:

使用从Au、Ag、Cu、Fe、Ta、W、Ti以及Pt所构成的群中选择出的 1种金属,作为上述电极材料。

5.如权利要求1或2所述的声界面波装置的制造方法,其特征在于:

上述媒质层,使用从铌酸锂、铌酸钾、钽酸锂、四硼酸锂、硅酸镓镧 或铌酸镓镧、水晶、PZT(锆钛酸铅陶瓷)、ZnO、AIN、氧化硅、玻璃、 硅、蓝宝石、氮化硅以及氮化碳所构成的群中所选择出的至少1种材料构 成。

6.如权利要求1或2所述的声界面波装置的制造方法,其特征在于:

上述电极,是用来构成声界面波共振子或声界面波滤波器的电极,得 到声界面波共振子或声界面波滤波器作为声界面波装置。

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