[发明专利]声界面波装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明，涉及一种利用在媒质的界面传送的声界面波的声界面波装置 的制造方法以及该声界面波装置，更为详细来说，涉及一种具有在电极两 侧的媒质中的一方媒质的外侧还叠层媒质的构造的声界面波装置的制造 方法以及声界面波装置。

背景技术

以往，在移动电话用RF滤波器与IF滤波器，以及VCO用共振子与 电视机用VIF滤波器等中，使用各种声表面波装置。声表面波装置，使用 在媒质表面传送的瑞利波或第1泄漏波等声表面波。

声表面波由于在媒质表面传送，因此对媒质的表面状态的变化很敏 感。因此，为了保护媒质的声表面波传送面，声表面波器件被气密封在设 有面对该传送面的空洞的封装中。由于使用这种具有空洞的封装，因此声 表面波装置的成本不得不增高。另外，由于封装的尺寸远大于声表面波器 件的尺寸，因此声表面波装置不得不增大。

另外，在弹性波中，除了上述声表面波之外，还有在固体间的界面中 传送的声界面波(Boundary Acoustic Wave)。

例如，下述的非专利文献1中，公开了一种在126°旋转Y板X传送 的LiTaO₃基板上形成有IDT，并且IDT与LiTaO₃基板上SiO₂膜形成为给 定的厚度的声界面波装置。这里，示出了传送称作斯通利(stoneley)波的 SV+P型的声界面波的情形。另外，非专利文献1中，示出了在上述SiO₂膜的膜厚为1.0λ(λ为声界面波的波长)的情况下，机电结合系数为2％。

声界面波，在能量集中在固体间的界面部分中的状态下传送。因此， 上述LiTaO₃基板的底面以及SiO₂膜的表面上，几乎不存在能量，所以基 板或薄膜的表面状态的变化几乎不引起特性变化。所以，能够省去空洞形 成封装，减小弹性波装置的尺寸。

另外，利用弹性波的滤波器或共振子中，为了抑制共振频率或中心频 率的偏差，提出了各种各样的频率调整方法。例如，下述专利文献1中， 公开了一种在利用体波的厚度振动的压电陶瓷滤波器中，通过对压电陶瓷 基板的表面上形成有的共振电极蒸镀绝缘性物质，来进行频率调整的方 法。

另外，下述专利文献2中，在利用表面波的表面波装置中，形成SiN 膜来将形成在压电基板上的IDT电极以及反射器覆盖起来，通过该SiN膜 的膜厚调整，来调整中心频率或共振频率。

另外，下述专利文献3中，公开了图12所示的声界面波装置。声界 面波装置100中，在压电性的第1基板101上，形成有梳齿电极102、102。 之后，形成电介质膜103覆盖梳齿电极102、102。之后，在电介质膜103 的上面，层积由Si类材料所形成的第2基板104。声界面波装置100中， Si类材料所形成的第2基板104不与梳齿电极102、102直接接触，之间 设有电介质膜103，因此能够降低梳齿电极102、102间的寄生电阻。

非专利文献1：“Piezoelectric Acoustic Boundary Waves Propagating  Along the Interface Between SiO2 and LiTaO3”IEEE Trans.Sonics and  ultrason.，VOL.SU-25，No.6,1978IEEE

专利文献1：特开平5-191193号公报

专利文献2：特开平2-301210号公报

专利文献3：WO98/51011号

前述的声界面波装置中，由于不需要空洞形成封装，因此能够实现弹 性波装置的小型化。但是，根据本发明人的实验，声界面波装置中，也和 声表面波装置的情况一样，容易因制造偏差引起共振频率或中心频率偏 差。特别是声界面波装置中，在第1媒质上形成了电极之后，形成第2媒 质覆盖该电极。因此，第2媒质的制造如果产生偏差，声界面波装置的频 率就容易产生很大的偏差。