[发明专利]电致发光元件的制造方法无效
申请号: | 200910222857.7 | 申请日: | 2003-08-05 |
公开(公告)号: | CN101714615A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 青木大吾 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 元件 制造 方法 | ||
1.一种电致发光元件的制造方法,其特征在于,至少包括如下工序:
分解除去层形成工序,准备电极层,在所述电极层上或在所述电极层上成膜的电荷注入输送层上,形成通过照射能量时的光催化剂的作用被分解除去且与液体的接触角不同于所述电极层或所述电荷注入输送层的分解除去层;
分解除去层图形形成工序,采用在基板上形成了包含光催化剂的光催化剂处理层和遮光部的光催化剂处理层基板,以200μm以下的间隙配置所述光催化剂处理层及所述分解除去层后,从规定方向图形照射能量,以将能量照射在所述分解除去层的将被分解除去的区域,将所述分解除去层形成为图形形状;
从所述分解除去层取下所述光催化剂处理层的取下工序;
有机电致发光层形成工序,按照所述分解除去层的图形,在电极层上或电荷注入输送层上形成有机电致发光层。
2.如权利要求1所述的电致发光元件的制造方法,其特征在于:所述分解除去层是自身组织化单分子膜、L-B膜或交互吸附膜中的任何一种。
3.一种电致发光元件的制造方法,其特征在于,包括如下工序:
电极层形成工序,在基板上,形成通过能量照射时的光催化剂的作用润湿性变化的电极层,
电极层图形形成工序,采用在基板上形成了包含光催化剂的光催化剂处理层的光催化剂处理层基板,以200μm以下的间隙配置所述电极层和所述光催化剂处理层后,从规定方向图形照射能量,在所述电极层表面上形成基于润湿性不同的图形;
从所述电极层取下所述光催化剂处理层的取下工序;
有机电致发光层形成工序,在所述电极层的提高了与液体润湿性的区域上形成有机电致发光层。
4.一种电致发光元件的制造方法,其特征在于,至少包括如下工序:
电荷注入输送层形成工序,在电极层上,形成润湿性变化的电荷注入输送层,所述电荷注入输送层的润湿性是以利用照射能量时的光催化剂的作用与液体的接触角下降的方式变化的;
电荷注入输送层图形形成工序,采用在基板上形成了包含光催化剂的光催化剂处理层的光催化剂处理层基板,以200μm以下的间隙配置所述光催化剂处理层及所述电荷注入输送层后,从规定方向图形照射能量,在所述电荷注入输送层上形成基于润湿性差异的图形;
从所述电荷注入输送层取下所述光催化剂处理层的取下工序;
有机电致发光层形成工序,在电荷注入输送层的提高了与液体的润湿性的区域上形成有机电致发光层。
5.如权利要求4所述的电致发光元件的制造方法,其特征在于:所述电荷注入输送层至少由用YnSiX(4-n)表示的硅化合物的一种或两种以上的水解缩合物或共水解缩合物的聚有机硅氧烷及光催化剂构成,其中,Y表示烷基、氟代烷基、乙烯基、氨基、苯基或环氧基,X表示烷氧基或卤素,n是到0~3的整数。
6.如权利要求1~5中任一项所述的电致发光元件的制造方法,其特征在于:所述光催化剂为选自二氧化钛TiO2、氧化锌ZnO、氧化锡SnO2、钛酸锶SrTiO3、氧化钨WO3、氧化铋Bi2O3及氧化铁Fe2O3中的一种或两种以上的物质。
7.如权利要求6所述的电致发光元件的制造方法,其特征在于:所述光催化剂为二氧化钛。
8.如权利要求1~2中任一项所述的电致发光元件的制造方法,其特征在于:在所述分解除去层图形形成工序中,在照射能量时,使所述光催化剂处理层与所述分解除去层之间的间隔在0.2μm~10μm的范围内。
9.如权利要求3所述的电致发光元件的制造方法,其特征在于:在所述所述电极层图形形成工序中,在照射能量时,使所述光催化剂处理层与所述电极层之间的间隔在0.2μm~10μm的范围内。
10.如权利要求4所述的电致发光元件的制造方法,其特征在于:在所述电荷注入输送层图形形成工序中,在照射能量时,使所述光催化剂处理层与所述电荷注入输送层之间的间隔在0.2μm~10μm的范围内。
11.如权利要求1~10中任一项所述的电致发光元件的制造方法,其特征在于:所述电极层形成在基材上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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