[发明专利]横向双扩展MOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件，包括：

高压阱(HVWELL)，形成在衬底上；

RESURF区，形成在所述HVWELL中；

本体区，邻近所述RESURF区形成；

隔离层，包括形成在所述RESURF区上的预定区域，所述隔离层与所述衬底的顶部表面部分重叠；

低压阱(LVWELL)，形成在所述隔离层的另一区域的下方的所述衬底的预定区域上；

栅电极，从所述本体区的预定的顶部表面区域延伸到所述隔离层的预定的顶部表面；

漏极区，形成在所述隔离层的所述另一区域下方的所述LVWELL上；以及

源极区，形成在所述栅电极下方的所述本体区中。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，进一步包括：

第一导电型第一杂质区，形成在所述RESURF区的下方。

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，进一步包括：

第二导电型第二杂质区，形成在所述第一导电型第一杂质区的下方。

4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其中，所述衬底和所述本体区是p导电型。

5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其中，所述HVWELL、所述RESURF区、所述LVWELL、所述漏极区和所述源极区是n导电型。

6.一种用于制造横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的方法，包括：

在衬底上形成高压阱(HVWELL)；

在所述HVWELL中形成RESURF区；

邻近所述RESURF区的预定区域形成本体区；

在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层包括与所述RESURF区的另一区域部分重叠的预定区域；

在所述隔离层的另一区域的下方的所述衬底上形成低压阱(LVWELL)；

形成从所述本体区的预定的顶部表面区域延伸到所述隔离层的顶部表面的栅电极；以及

在所述隔离层的所述另一区域下方的所述LVWELL中形成漏极区，在所述栅电极下方的本体区中形成源极区。

7.根据权利要求6所述的制造LDMOS器件的方法，进一步包括：

在所述RESURF区下方形成第一导电型第一杂质区。

8.根据权利要求7所述的制造LDMOS器件的方法，进一步包括：

在所述第一导电型第一杂质区下方形成第二导电型第二杂质区。

9.根据权利要求8所述的制造LDMOS器件的方法，其中，形成所述第一和第二杂质区的步骤包括：

在所述HVWELL上形成介电层；

在所述介电层上形成光刻胶图样；以及

通过使用所述光刻胶图样作为离子注入掩膜注入相应的杂质离子来形成所述第一和第二杂质区。

10.根据权利要求6所述的制造LDMOS器件的方法，其中，所述衬底是p导电型，所述本体区以p导电型形成，而其中所述HVWELL、所述RESURF区、所述LVWELL、所述漏极区和所述源极区是n导电型。