[发明专利]电熔丝、电阻与晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，包含：

提供基底；

形成晶体管栅极、电阻和电熔丝于该基底上，且该晶体管栅极、该电阻、该电熔丝均具有第一介电层、多晶硅层、硬掩模；

形成源极/漏极掺杂区于该晶体管栅极旁的基底中；

去除该电阻以及该电熔丝中的该硬掩模；

进行金属硅化工艺，分别形成金属硅化层于该源极/漏极掺杂区、该电阻上以及该电熔丝上；

形成平坦化的第二介电层覆盖该基底，并曝露出该晶体管栅极的该多晶硅层、该电阻和该电熔丝；

移除该晶体管栅极中的该多晶硅层，以形成凹槽；以及

形成金属层填满该凹槽。

2.如权利要求1所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，另包含：

在形成该源极/漏极掺杂区之前，分别于该晶体管栅极、该电阻和该电熔丝上形成间隙壁。

3.如权利要求1所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，另包含：

在进行该金属硅化工艺之前，形成金属硅化物阻挡层覆盖该基底、该电阻的该多晶硅层的中间。

4.如权利要求3所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，其中该金属硅化层位于该电阻中的该多晶硅层的两端，该电熔丝的该多晶硅层的上表面。

5.如权利要求1所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，另包含：

形成该第二介电层之前，形成蚀刻停止层顺应地覆盖该晶体管栅极、该电阻、该电熔丝和该基底。

6.如权利要求1所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，其中该第一介电层包含高介电材料。

7.如权利要求1所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，其中该金属层包含功函数金属层和栅极金属层。

8.如权利要求7所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，其中该金属层的形成方式包含：

形成该功函数金属层顺应地覆盖该第二介电层和该凹槽；以及

形成该栅极金属层覆盖该功函数金属层并且填满该凹槽。

9.一种电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，包含：

提供基底；

形成晶体管栅极、电阻和电熔丝于该基底上，且该晶体管栅极、该电阻、该电熔丝均具有第一介电层、多晶硅层、硬掩模；

形成源极/漏极掺杂区于该晶体管栅极旁的基底中；

形成第一金属硅化层于该源极/漏极掺杂区；

形成第二介电层覆盖该基底、该晶体管栅极、该电阻、该电熔丝和该源极/漏极掺杂区；

平坦化该第二介电层，并曝露出该晶体管栅极的该多晶硅层、该电阻的该多晶硅层和该电熔丝的该多晶硅层；

移除该晶体管栅极中曝露的该多晶硅层，以形成凹槽；

形成金属层填满该凹槽；以及

形成该金属层之后，分别形成第二金属硅化层于该电阻以及该电熔丝上。

10.如权利要求9所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，另包含：

在形成该源极/漏极掺杂区之前，分别于该晶体管栅极、该电阻和该电熔丝上形成间隙壁。

11.如权利要求9所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，另包含：

移除该晶体管栅极中的该多晶硅层之前，形成图案化掩模覆盖该电阻和该电熔丝。

12.如权利要求11所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，另包含：在移除该晶体管栅极中的该多晶硅层之后，移除该图案化掩模。

13.如权利要求9所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，另包含：

形成该第二金属硅化层之前，形成金属硅化物阻挡层覆盖该基底以及该电阻的该多晶硅层的中间。

14.如权利要求13所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，另包含：

形成该第二金属硅化层之后，移除该金属硅化物阻挡层。

15.如权利要求9所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，其中该第二金属硅化层位于该电阻中的该多晶硅层的两端，该电熔丝中的该多晶硅层的上表面。

16.如权利要求9所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，其中该金属层包含功函数金属层和栅极金属层。

17.如权利要求16所述的电熔丝、电阻与晶体管的制造方法，其中该金属层的形成方式包含：

形成该功函数金属层顺应地覆盖该第二介电层、该凹槽；以及

形成该栅极金属层覆盖该第二功函数金属层并且填满该凹槽。