[发明专利]超高频RFID读写器中的高线性度低噪声下混频器

权利要求书

1.一种混频器，包括：第一级NMOS管M3与第二级NMOS管M4、M5的源级相连，为其提供偏置电流，第二级NMOS管M4、M5为跨导级，第三级NMOS管M6、M7，M8、M9为开关级，R₁和R₂为输出端负载。

2.如要求权利1所描述的混频器，还包括：由NMOS管M1、M2组成了二阶交调电流注入结构，通过电容C₁与NMOS管的栅极相连。

3.如权利要求1所描述的混频器，还包括：在输出端采用由PMOS管MP1、MP2和MP3组成的动态电流注入结构。

4.由权利要求1所描述的混频器，其特征是：第一级NMOS管M3的栅极于电容C₁的一端相连，M3的源级接地，M3的漏极与M4、M5的源级相连；第二级NMOS管M4、M5组成跨导级，其中M4的源级与M5的源级相连，并与M3的漏极相连，M4、M5的栅极分别接射频输入的正向信号和反向信号；第三级NMOS管M6、M7、M8、M9为开关级，其中M6的源级与M7的源级相连，并与M4的漏极连在一起，M8的源级与M9的源级连接在一起，并与M5的漏极相连，M6与M9的漏极分别与输出端负载电阻R₁、R₂的一端相连，M7与M8的漏极分别与M9和M6的漏极相连；M6与M9的栅极接本振输入的正向信号，M7的栅极与M8的栅极相连，且接本振输入的反向信号。

5.由权利要求2所描述的混频器，其特征是：二阶交调电流注入结构由NMOS管M1、M2组成，M1、M2的栅极分别为输入信号的差分输入；M1、M2的漏极连接于直流电压源；M1、M2的源级相连，并与M3管的栅级通过隔直电容相连。

6.由权利要求2所描述的混频器，其特征是：NMOS管M1和M2的漏极相连且连接于直流电压源VCC，M1和M2的源级相连，且与电阻R₁的一端相连，电阻R₁的另一端接地，电容C₁的一端与M1、M2的源级相连，另一端与M3的栅极相连。

7.由权利要求3所描述的混频器，其特征是：PMOS管MP1、MP2和MP3组成了动态电流注入结构，其中，MP1的漏极与MP2的源级相连，并与MP3的漏极相连，MP1的栅极与MP2的漏极相连组成交叉结构，并与NMOS管M5的漏极相连，MP2的栅极与MP1的漏极相连也组成交叉结构，并与NMOS管M4的漏极相连；MP3的栅极接直流电压源V_b，MP3的源级接直流电压源VCC。

8.由权利要求1所描述的混频器，其特征是：NMOS管M6和M9的漏极分别与负载电阻R₁、R₂的一端相连，R₁、R₂的的另一端与PMOS管MP3的源级相连，并与直流电压源VCC相连。

9.由权利要求1所描述的混频器，其特征是：NMOS管M8的漏极与M6的漏极相连，并引出输出信号作为混频器的中频输出的正向信号，NMOS管M7的漏极与M9的漏极相连，并引出输出信号作为中频输出的反向信号。

10.由权利要求1所描述的混频器，其特征是：NMOS管M3的栅极与电阻R₄的一端相连接，其另一端与直流电压源V_b相连，以提供M3的栅极偏置电压。

11.由权利要求1所描述的混频器，其特征是：NMOS管M4的漏极与M6、M7的源级、PMOS管MP1的漏极以及MP2的栅极相连于A点，NMOS管M5的漏极与M8，M9的源级、PMOS管MP2的漏极以及MP1的栅极相连于B点。

12.如权利要求2所描述的混频器，其特征是：NMOS管M1和M2的源级相连，并与电阻R3的一端相连，R3的另一端接地。