[发明专利]SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺

权利要求书

1.SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，其特征在于包括如下工艺步骤：

A、改方加工：将线切割后的晶片制成晶坨后进行改方处理，处理后的方片尺寸为9×10mm～12×11mm；

B、倒角加工：对改方后的晶坨进行倒角加工，倒角的规格为0.3～0.7mm；

C、化坨：将步骤B中制备的晶坨化成晶片；

D、研磨：采用圆孔游轮对步骤B制备的晶片进行研磨，每研磨完一盘，圆孔游轮翻面后再码入步骤C制备的晶片进行研磨；其中研磨设备的工艺参数为：机器平面度为±0.005mm，机器盘面平行度为0～0.01mm，研磨液流速为8～12滴/秒，机器转速为25rpm～33rpm/m；

E、粘坨、切坨、磨坨、化坨、EFG小片检验角度、腐蚀频率选分。

2.根据权利要求1所述的SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，其特征在于步骤C中研磨液的各组份的质量比为水∶研磨砂∶101悬浮剂＝13∶5∶2。

3.根据权利要求2所述的SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，其特征在于所述的研磨砂采用GC3000#绿碳化硅，粒径为0.0035～0.0045mm。

4.根据权利要求2所述的SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，其特征在于所述的研磨砂的研磨量小于0.6mm/次，每次更换新研磨液后先修盘1～1.5小时，再进行晶片研磨。

5.根据权利要求2所述的SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，其特征在于所述的101悬浮剂采用表面活性碳合成。

6.根据权利要求2或5所述的SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，其特征在于所述的101悬浮剂为天津市华翔电子材料有限公司生产的型号为WH-101的研磨剂。

7.根据权利要求1所述的SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，其特征在于步骤C中的圆孔游轮的厚度为0.090mm，研磨频率从11210KHz～17500KHz，圆孔游轮的孔径为φr，φr＝步骤B中制备的方片(长×长+宽×宽)^1/2-(0.3～0.7)×2+(0.3～0.7)mm。

8.根据权利要求1所述的SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，其特征在于步骤C中的研磨设备采用湖南宇晶6B研磨机。

9.根据权利要求1所述的SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，其特征在于步骤E中所述的粘坨是将步骤D中研磨好的晶片粘成长度为22±0.1mm的晶坨，切坨是将晶坨切割成2.15×10×22mm的大坨或2.0×1.49×22mm的小坨。

10.根据权利要求1或9所述的SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，其特征在于步骤E中所述的磨坨是将对切割后的大坨或小坨进行研磨，去掉晶坨切割的破坏层，并把大坨研磨到厚度为2.0mm或将小坨研磨到厚度为1.32mm。