[发明专利]SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺

说明书

所属技术领域

本发明属于石英晶片的研磨，特别是指一种SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺。

背景技术

石英晶体谐振器、振荡器广泛应用于各种电子产品中，市场需求量非常大。随着电子技术的发展，市场对高精度、高稳定性石英谐振器需求量增加，由于石英晶体谐振器、振荡器的高精度和高稳定性与石英晶片的频率寄生和切割角度有密切的关系，它们要求石英晶片频率寄生远，晶片角度集中；但是目前石英晶片在研磨加工过程中，容易出现研磨后角度中心出现偏移，大方片切割成小条片以后角度的离散度增大；而且高频频率寄生多，离主振频率比较接近的现象；使大量晶片无法满足成品加工所要求，从而造成生产上的浪费。

因此在提高产品品质、节约资源等方面的综合考虑下，亟需一种能改善晶片频率寄生，改善石英晶片研磨后角度发散的加工方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，能够有效改善石英晶片研磨后角度中心偏移，大方片切割成小条片以后角度发散，改善高频石英晶片的频率寄生，提高产品品质。

本发明的整体技术构思是：

SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，包括如下工艺步骤：

A、改方加工：将线切割后的晶片制成晶坨后进行改方处理，处理后的方片尺寸为9×10mm～12×11mm；

B、倒角加工：对改方后的晶坨进行倒角加工，倒角的规格为0.3～0.7mm；

C、化坨：将步骤B中制备的晶坨化成晶片；

D、研磨：采用圆孔游轮对步骤B制备的晶片进行研磨，每研磨完一盘，圆孔游轮翻面后再码入步骤C制备的晶片进行研磨；其中研磨设备的工艺参数为：机器平面度为±0.005mm，机器盘面平行度为0～0.01mm，研磨液流速为8～12滴/秒，机器转速为25rpm～33rpm/m；

E、粘坨、切坨、磨坨、化坨、EFG小片检验角度、腐蚀频率选分。

本发明各工艺步骤的的具体技术参数是：

步骤C中研磨液的各组份的质量比为水∶研磨砂∶101悬浮剂＝13∶5∶2。

研磨砂采用GC3000#绿碳化硅，粒径为0.0035～0.0045mm。

研磨砂的研磨量小于0.6mm/次，每次更换新研磨液后先修盘1～1.5小时，再进行晶片研磨。

所述的101悬浮剂采用表面活性碳合成。

101悬浮剂为天津市华翔电子材料有限公司生产，型号为WH-101研磨剂。

步骤C中的圆孔游轮的厚度为0.090mm，研磨频率从11210KHz～17500KHz，圆孔游轮的孔径为φr，φr＝步骤B中制备的方片(长×长+宽×宽)^1/2-(0.3～0.7)×2+(0.3～0.7)mm。

步骤C中的研磨设备采用湖南宇晶6B研磨机。

步骤E中所述的粘坨是将步骤D中研磨好的晶片粘成长度为22±0.1mm的晶坨，切坨是将晶坨切割成2.15×10×22mm的大坨或2.0×1.49×22mm的小坨。

步骤E中所述的磨坨是将对切割后的大坨或小坨进行研磨，去掉晶坨切割的破坏层，并把大坨研磨到厚度为2.0mm或将小坨研磨到厚度为1.32mm。

本发明所取得的实质性特点和显著的技术进步在于：

1、研磨后晶片的角度离散度小，角度中心偏移小，方便生产中角度控制。

2、大片切割成小晶片后，离散度增加小，有效提高晶片角度的一致性。

3、有效改善了石英晶片研磨后的频率寄生，减少了白片分频时的寄生不良现象。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明作进一步描述，但不应理解为对本发明的限定。

本发明的保护范围以权利要求书记载的内容为准。

实施例1

SMD石英方片圆孔游轮研磨工艺，包括如下工艺步骤：

A、改方加工：将线切割后的晶片制成晶坨后进行改方处理，处理后的方片尺寸为9×10mm；

B、倒角加工：对改方后的晶坨进行倒角加工，倒角的规格为0.5mm；

C、化坨：将步骤B中制备的晶坨化成晶片；

D、研磨：采用圆孔游轮对步骤B制备的晶片进行研磨，每研磨完一盘，圆孔游轮翻面后再码入步骤C制备的晶片进行研磨；其中研磨设备的工艺参数为：机器平面度为±0.005mm，机器盘面平行度为0.005mm，研磨液流速为10滴/秒，机器转速为30rpm；

E、粘坨、切坨、磨坨、化坨、EFG小片检验角度、腐蚀频率选分。

本实施例中各工艺步骤的的具体技术参数是：