[发明专利]基于反馈的红外接收系统直流干扰抑制电路

权利要求书

1.一种基于反馈的红外接收系统直流干扰抑制电路，其特征在于：其通 过误差放大器(1)连接调整管(2)，调整管连接电阻网络(3)形成了一个反 馈电路，可在红外接收器的输入端对直流干扰电流进行抑制；

所述直流干扰抑制电路包括误差放大器、调整管、电阻网络，所述直流干 扰抑制电路应用于红外接收器的输入端，与跨阻前置放大器连接；所述电阻网 络(3)由第一电阻(R1)、第二电阻(R2)组成，第一电阻(R1)、第二电阻 (R2)串接，二者之间的连接点为B，通过误差放大器(1)的正向输入端对 第一电阻(R1)与第二电阻(R2)连接点B电位的实时检测来调整反馈的强 弱，从而对直流干扰电流进行抑制；反馈是通过误差放大器的输出对调整管(2) 的栅极电压的控制来完成的；

所述第一电阻的另一端A和第二电阻的另一端C分别与两个起隔离作用 的电容相连，两个电容的另一端分别与跨阻前置放大器的两个输入端相连，跨 阻前置放大器采用双端输入双端输出方式；

所述第一电阻的另一端A除与跨阻前置放大器正向输入端相连接外还与 外接光电二极管D的阴极相连，光电二极管D的阳极接地；

所述误差放大器的输出端与调整管的栅极相连，误差放大器的正向输入端 与电阻网络中的第一电阻和第二电阻的连接点B相连，误差放大器的反向输 入端接基准源Vref；

误差放大器包括第六MOS晶体管M6、第七MOS晶体管M7、第八MOS 晶体管M8、第九MOS晶体管M9和作为电流源使用的第十MOS晶体管M10、 第十一MOS晶体管M11；第六MOS晶体管M6的源极与第七MOS晶体管 M7的源极相连并且接电源Vcc，第六MOS晶体管M6的漏极与栅极相连并与 第八MOS晶体管M8的漏极相连，第六MOS晶体管M6的栅极还与第七MOS 晶体管M7的栅极相连；第七MOS晶体管M7的漏极与第九MOS晶体管的漏 极相连作为误差放大器的输出端，该输出端与作为调整管的MOS晶体管M0 的栅极相连，第八MOS晶体管M8的源极与第九MOS晶体管M9的源极相连 后与第十MOS晶体管M10的漏极相连，第十MOS晶体管M10的源极与第十 一MOS晶体管M11的漏极相连，第十一MOS晶体管M11的源极接地，第十 MOS晶体管M10的栅极与第十一MOS晶体管M11的栅极分别与偏置电压 bias1、bias2相连，第九MOS晶体管M9的栅极作为误差放大器的反向输入端 接基准源Vref，第八MOS晶体管M8的栅极作为误差放大器的正向输入端与 电阻网络中的第一电阻和第二电阻的连接点B相连；

作为调整管的MOS晶体管M0的源极接电源Vcc，漏极与第一MOS晶 体管M1的源极相连，第一MOS晶体管M1的栅极由bias提供偏置电压，第 一MOS晶体管M1的漏极与第二MOS晶体管M2的漏极相连，该连接点还与 第二电阻的另一端C相连后接入跨阻前置放大器的反向输入端；

第二MOS晶体管M2的源极与第三MOS晶体管M3的漏极相连，第三 MOS晶体管M3的源极接地，第二MOS晶体管M2的栅极和第三MOS晶体 管M3的栅极分别与偏置电压bias1、bias2相连，这里M2与M3作为电流源 来使用。