[发明专利]增加太阳能锗衬底片强度的腐蚀方法无效
申请号: | 200910233351.6 | 申请日: | 2009-10-20 |
公开(公告)号: | CN101694013A | 公开(公告)日: | 2010-04-14 |
发明(设计)人: | 孙小华 | 申请(专利权)人: | 南京中锗科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C23F1/24 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 张苏沛 |
地址: | 211165*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增加 太阳能 衬底 强度 腐蚀 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种增加太阳能锗衬底片强度的腐蚀方法。
背景技术
用于太阳能电池的锗衬底片在进行化学机械抛光之前需要进行研磨或背面减薄,以去除锯纹或其他前道工艺留下的缺陷,这样加工后的晶片往往强度较低,极易破片,采用化学腐蚀的方法可以大大的增加其强度,防止破片。
发明内容
本发明针对现有技术中的需要,采用如下技术方案进行腐蚀液的配置和锗衬底片的腐蚀:
一种增加太阳能锗衬底片强度的腐蚀方法,主要涉及腐蚀液的配置和锗衬底片的腐蚀两方面,
腐蚀药配置
腐蚀1#药液:
HF+H2O(纯水)=150ml+1200ml
取1200ml纯水放入腐蚀槽中,再量取150ml HF倒入腐蚀槽中。
腐蚀2#药液:
CH3COOH+Br2+HNO3=150ml+3ml+250ml
量取150ml CH3COOH滴入3ml Br2,待Br2溶解后,加入250ml HNO3。
锗衬底片腐蚀:
(1)1#液腐蚀
取一盒研磨过的锗衬底片,用纯水冲淋后,将片架水平放入腐蚀槽内,片架内锗衬底片的部分要全部浸入1#腐蚀液中,并轻轻将其水平晃动。
第一次腐蚀为10秒,10秒后取出片架,用纯水冲淋,再放入清洗槽中。取出一片量其厚度,根据腐蚀的厚度决定下一次腐蚀时间。
1#液腐蚀掉的厚度最少为3μm,且1#腐蚀液寿命不超过500pcs。
(2)2#液腐蚀
每次腐蚀10片,
腐蚀时间为20~30秒,20~30秒后取出片架,用纯水冲淋,再放入清洗槽中。取出一片擦干后测其厚度,2#腐蚀液寿命为400pcs,腐蚀掉厚度8~12μm。
如达到要求厚度则用大量纯水冲洗片子,甩干后检查,合格后进入下一道工艺。
本发明创造的有益效果:
工艺简单,效果显著;腐蚀后的锗衬底片强度大大增加,防止了破片。
具体实施方式
以下通过具体实施例对本发明技术方案做进一步的说明。
本实施例的增加太阳能锗衬底片强度的腐蚀方法,主要涉及腐蚀液的配置和锗衬底片的腐蚀两方面,
腐蚀药配置及使用寿命:
(1)配置
腐蚀1#药液:
HF+H2O(纯水)=150ml+1200ml
取1200ml纯水放入腐蚀槽中,再量取150ml HF倒入腐蚀槽中。
腐蚀2#药液:
CH3COOH+Br2+HNO3=150ml+3ml+250ml
量取150ml CH3COOH滴入3ml Br2,待Br2溶解后,加入250ml HNO3。
腐蚀:
(1)1#液腐蚀
取一盒研磨过的锗衬底片,用纯水冲淋后,将片架水平放入腐蚀槽内,片架内锗衬底片的部分要全部浸入1#腐蚀液中,并轻轻将其水平晃动。
第一次腐蚀为10秒,10秒后取出片架,用纯水冲淋,再放入清洗槽中。
取出一片量其厚度,根据腐蚀的厚度决定下一次腐蚀时间。
1#液腐蚀掉的厚度最少为3μm,且1#腐蚀液寿命不超过500pcs。
(2)2#液腐蚀
每次腐蚀10片,
腐蚀时间为20~30秒,20~30秒后取出片架,用纯水冲淋,再放入清洗槽中。取出一片擦干后测其厚度,2#腐蚀液寿命为400pcs,腐蚀掉厚度8-12μm。
如达到要求厚度则用大量纯水冲洗片子,甩干后检查,合格后进入下一道工艺。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上,但它们并不是用来限定本发明,任何熟悉此技艺者,在不脱离本发明之精神和范围内,自当可作各种变化或润饰,因此本发明的保护范围应当以本申请的权利要求保护范围所界定的为准。
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