[发明专利]液晶显示器及阵列基板的制造方法有效
申请号: | 200910235616.6 | 申请日: | 2009-09-30 |
公开(公告)号: | CN102033345A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 王丹;林炳仟;邱海军 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1362;G03F7/00;H01L27/02;H01L21/82 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 阵列 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示器,其特征在于,包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板,所述彩膜基板包括设置在基板上的黑矩阵、红色像素、绿色像素和蓝色像素,所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述液晶显示器的盒厚不同。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述阵列基板中栅绝缘层的厚度不同。
3.根据权利要求1所述的液晶显示器,其特征在于,所述红色像素、所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述阵列基板中钝化层的厚度不同。
4.根据权利要求2所述的液晶显示器,其特征在于,所述红色像素和所述绿色像素对应的所述阵列基板中栅绝缘层的厚度差值范围为0-1微米,所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述阵列基板中栅绝缘层的厚度差值范围为0-1微米。
5.根据权利要求3所述的液晶显示器,其特征在于,所述红色像素和所述绿色像素对应的所述阵列基板中钝化层的厚度差值范围为0-1微米,所述绿色像素和所述蓝色像素对应的所述阵列基板中钝化层的厚度差值范围为0-1微米。
6.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
在基板上通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形;
在完成上述步骤的所述基板上沉积栅绝缘薄膜,在所述栅绝缘薄膜上涂覆一层光刻胶,形成栅绝缘层;
采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述栅绝缘层进行刻蚀,使得所述栅绝缘层在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同;
在完成上述步骤的所述基板上通过构图工艺形成包括数据线、漏电极、源电极和像素电极的图形。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述栅绝缘层进行刻蚀,使得所述栅绝缘层在彩膜基板中的红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同包括:
采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域和第二半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述栅绝缘层进行曝光,使所述栅绝缘层形成光刻胶完全去除区域、第一光刻胶半保留区域和第二光刻胶半保留区域,所述光刻胶完全去除区域对应于彩膜基板中红色像素所对应的区域,所述第一光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中绿色像素所对应的区域,所述第二光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中蓝色像素所对应的区域;
通过多步刻蚀工艺对所述栅绝缘层进行处理,使得所述第二光刻胶半保留区域的栅绝缘层的厚度大于所述第一光刻胶半保留区域的栅绝缘层的厚度,所述第一光刻胶半保留区域的栅绝缘层的厚度大于所述光刻胶完全去除区域的栅绝缘层的厚度。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述掩膜板中所述第一半色调或灰阶色调区域的透光率大于所述第二半色调或灰阶色调区域的透光率。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,还包括:
在形成栅绝缘层的所述基板上沉积钝化层薄膜,在所述钝化层薄膜上涂覆一层光刻胶,形成钝化层;
采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行刻蚀,使得所述阵列基板在彩膜基板中红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行刻蚀,使得所述阵列基板在彩膜基板中红色像素、绿色像素和蓝色像素所分别对应的厚度不同包括:
采用包括全色调区域、第一半色调或灰阶色调区域的掩膜板对所述钝化层进行曝光,使所述钝化层形成光刻胶完全去除区域和第一光刻胶半保留区域,所述光刻胶完全去除区域对应于彩膜基板中红色像素和绿色像素所对应的区域,所述第一光刻胶半保留区域对应于所述彩膜基板中蓝色像素所对应的区域;
通过多步刻蚀工艺对所述钝化层进行处理。
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