[发明专利]应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法

权利要求书

1.一种应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在待覆盖金属层的介质层表面涂光刻胶，使所述介质层上的光刻对准标记所在区域被光刻胶覆盖，并且光刻胶层的厚度大于待积淀的金属层的厚度；

进行曝光、显影处理，以保留所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，而将其他部分覆盖的光刻胶去除；

积淀金属层；

剥离所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的金属层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在曝光处理之前还包括：

通过在有机溶剂中浸泡，使所述光刻对准标记所在区域与其他区域交界处的边缘在曝光显影后能够形成倒角悬垂。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在曝光处理之后还包括：通过在有机溶剂中浸泡，使所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶边缘形成倒角悬垂。

4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂为氯苯溶剂。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在有机溶剂中浸泡，剥离所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的金属层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度至少大于待积淀的金属层的厚度的30％。