[发明专利]应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造工艺领域，尤其涉及一种应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法。

背景技术

在半导体芯片制造工艺中，对于应用于大电流与高电压场合的芯片，需要在芯片制造过程中覆盖厚金属层。对于需要采用厚金属层的芯片，比如DMOS(Double diffused Metal Oxide Semiconductor transistor，双扩散金属氧化物半导体晶体管)产品，采用较厚的铝层。但是厚的铝层覆盖在前层留下的光刻对准标记上时，会严重影响到对准标记的形貌，导致光刻机在对准过程中发生困难。如图1a和图1b所示，图1a为在基片100上覆盖厚金属层之前的前层的示意图，其上的凸起部分为光刻对准标记；图1b为覆盖厚金属层之后的示意图。可以看出，覆盖厚金属层后，光刻对准标记的形貌变得不如以前规整，这将影响光刻机的对准效果。

传统的解决办法是：通过控制铝层的厚度，或者改善铝层质量，或者增加前层介质厚度刻蚀出高(或深)的对准标记，来改善光刻对准效果。控制铝层厚度可以改善光刻对准效果，但与提高产品电性参数相违背；改善铝层质量，也可以改善对准标记表面的光学性质，但是对于很厚的铝层，标记轮廓不清晰，所以效果并不明显；增加前层介质厚度，刻蚀出高(或深)的对准标记，可以改善厚铝层的光刻对准效果，但这需改变工艺，并且过于厚的介质层并不是前层所需要的。

可以看出，上述针对厚金属层改善光刻对准效果的传统方法，在改善对准效果方面都不是十分明显，并且优化空间有限。

发明内容

本发明实施例提供了应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法，以解决现有半导体芯片制造过程中覆盖厚金属层时影响前层光刻对准标记形貌的问题。

本发明实施例提供的方法，包括以下步骤：

在待覆盖金属层的介质层表面涂光刻胶，使所述介质层上的光刻对准标记所在区域被光刻胶覆盖，并且光刻胶层的厚度大于待积淀的金属层的厚度；

进行曝光、显影处理，以保留所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，而将其他部分覆盖的光刻胶去除；

覆盖金属层；

剥离所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的金属层。

本发明的上述实施例中，在覆盖金属层之前，首先在待覆盖金属层的介质层表面涂光刻胶，再通过曝光、显影过程保留光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，而将其他部分覆盖的光刻胶去除，这样，在进行金属层覆盖时，金属层会覆盖在未覆盖光刻胶的介质层表面以及光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶表面上，然后，通过将光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶剥离，使该光刻胶表面上覆盖的金属层一起被剥离掉，从而露出介质层上的光刻对准标记，这样，在覆盖金属层后，光刻对准标记仍然保持原来的形貌，与现有技术覆盖金属层的过程相比，通过应用光刻胶剥离工艺保护了光刻对准标记，从而使光刻对准过程容易实现，提高光刻对准精度。

附图说明

图1a为现有技术中覆盖厚金属层之前的光刻对准标记形貌示意图；

图1b为现有技术中覆盖厚金属层之后的光刻对准标记形貌示意图；

图2为本发明实施例在覆盖金属层过程中应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的流程示意图；

图3a、图3b、图3c、图3d、图3e为本发明实施例覆盖金属层过程中基片的示意图。

具体实施方式

针对现有技术存在的上述问题，本发明实施例通过应用光刻胶剥离工艺，在覆盖金属层之前对前层上的光刻对准标记进行保护，使光刻对准标记不被金属层覆盖，从而保持光刻对准标记的形貌，使后续光刻过程中光刻机可以根据该准标记进行对准。

下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。

仍以在如图1a所示的基片上覆盖铝层为例，当需要在基片100的最上面的介质层覆盖铝层时，本发明实施例在覆盖金属层过程中应用光刻剥离工艺保护光刻对准标记的流程可如图2所示，包括以下步骤：

步骤201、在基片100的介质层101上匀涂光刻胶，并通过常规方式将光刻胶烘干，使介质层101上覆盖光刻胶层103，其中，介质层101上的光刻对准标记102被覆盖在光刻胶层103下，如图3a所示；

步骤202、使用掩膜进行常规曝光处理，该掩膜可使覆盖在光刻对准标记区域的光刻胶层103不透光，而该区域以外的光刻胶层103透光；