[发明专利]一种表面处理方法及采用该方法的电子产品壳体无效
| 申请号： | 200910238939.0 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102115887A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 沈文来;赵丽红;赵米芳;罗文海 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;H05K5/00;H05K5/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 处理 方法 采用 电子产品 壳体 | ||
1.一种表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基材，所述基材的表面至少部分为蚀刻部分；
对基材的蚀刻部分进行蚀刻处理，所述蚀刻部分的蚀刻时间从一端向另一端递增或者递减；
将基材提出蚀刻液。
2.如权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述基材表面包括非蚀刻部分，蚀刻前还包括在非蚀刻部分表面形成抗蚀刻液层的步骤。
3.如权利要求2所述的表面处理方法，其特征在于，还包括蚀刻后再除去抗蚀刻液层的步骤。
4.如权利要求1至3任一项所述的表面处理方法，其特征在于，所述蚀刻的方法为，将蚀刻部分自下而上下降至蚀刻液中，所述蚀刻部分下降至蚀刻液中的平均速度为0.1-1毫米/秒。
5.如权利要求4所述的表面处理方法，其特征在于，将蚀刻部分分成至少2段，蚀刻部分每段各自匀速下降至蚀刻液中，蚀刻部分各段的下降速度的趋势为自下而上递增。
6.如权利要求1至3任一项所述的表面处理方法，其特征在于，将基材提出蚀刻液的时间为0.1-1秒。
7.如权利要求1至3任一项所述的表面处理方法，其特征在于，还包括对离开蚀刻液的基材进行清洗蚀刻液的步骤。
8.一种电子产品壳体，其特征在于，其表面处理方法为权利要求1至7任一项所述的表面处理方法。
9.如权利要求8所述的电子产品壳体，其特征在于，所述电子产品壳体材料选自金属、金属合金或陶瓷。
10.如权利要求8所述的电子产品壳体，其特征在于，所述电子产品壳体被蚀刻部分的最大粗糙度Ra值为4-5微米，最小粗糙度Ra值为0.005-0.05微米。
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