[发明专利]一种总剂量辐射加固工形栅版图结构

权利要求书

1.一种总剂量辐射加固工形栅版图结构，包括有源区(60)、工形栅(65)、 场氧区(62)、源区(64)，漏区(66)和接触孔(69)，其特征在于：工形栅 (65)为“工”字形，分为a区、b区和c区，有源区(60)为矩形，有源区 (60)上设置工形栅(65)，并且有源区(60)与工形栅(65)相交叠的全部 区域的两层之间均设置栅氧化层，场氧区(62)设置在有源区(60)之外，并 与工形栅(65)的c区相交叠，且位于c区之下，有源区(60)和工形栅(65) 没有相交叠的区域为源区(64)和漏区(66)，所述有源区(60)与工形栅(65) 相交叠的全部区域分为a区与b区，其中a区位于源区(64)和漏区(66)之 间，b区分为两个区域，分别位于源区(64)、漏区(66)的上部和下部，接触 孔(69)为两个，设置在工形栅(65)的两端；

其中：b区的宽度L1满足下式：

L1≥L1_EN；L1_EN为标准工艺设计规则中N⁺注入区对有源区的最小覆盖长 度的版图设计值；

c区的宽度L2满足下式：

L2≥L2_EN；L2_EN为标准工艺设计规则中多晶硅栅超出有源区的最小长度 的版图设计值；

并且所述工形栅版图构成的MOS晶体管的沟道长度为源区(64)和漏区 (66)之间的距离L，沟道宽度W为源区(64)和漏区(66)之间的多晶硅栅 的长度。

2.根据权利要求1所述的一种总剂量辐射加固工形栅版图结构，其特征 在于：所述源区(64)和漏区(66)的位置可以互换。

3.根据权利要求1所述的一种总剂量辐射加固工形栅版图结构，其特征 在于：当采用两个或两个以上的工形栅版图组合而成的多管版图时，在相邻两 个工形栅版图的源区(84)与源区(84’)之间插入保护环(83)，以断开源区 (84)与源区(84’)之间的漏电通路，从而消除场区漏电。

4.根据权利要求1所述的一种总剂量辐射加固工形栅版图结构，其特征 在于：当采用两个或两个以上的工形栅版图组合而成的多管版图时，在相邻两 个工形栅版图的漏区(86)与漏区(86’)之间插入保护环(83)，以断开漏区 (86)与漏区(86’)之间的漏电通路，从而消除场区漏电。