[发明专利]自举采样电路

权利要求书

1.一种自举采样电路，其特征在于：其包括晶体管采样开关，采样开关的源极输入欲采样的输入信号，采样开关的漏极输出采样后的输出信号，该采样开关的栅极连接于一个自举电路，由自举电路驱动采样开关开启，其中该自举电路包括：

充电电容，其包括第一端与第二端；

第一晶体管，其栅极连接于第一时钟信号，源极连接于电源信号，漏极连接于一个电路节点；

第二晶体管，其漏极连接于电源信号、源极连接于前述充电电容的第一端、栅极连接于前述电路节点；

第三晶体管，其栅极连接于第二时钟信号，源极接地，漏极连接于前述充电电容的第二端；。

第四晶体管，其栅极连接于第一时钟信号，漏极连接于前述电路节点，源极连接于前述充电电容的第二端；

第五晶体管，其栅极连接于前述电路节点，漏极连接于第一时钟信号、源极连接于前述采样开关的栅极；

第六晶体管，其栅极连接于采样开关的栅极，漏极连接于采样信号输入端，源极连接于前述充电电容的第二端；

第七晶体管，其栅极连接于前述电路节点，源极连接于前述充电电容的第一端，漏极连接于前述采样开关的栅极。

2.如权利要求1所述的自举采样电路，其特征在于：前述第一晶体管与第七晶体管为PMOS场效应晶体管。

3.如权利要求1所述的自举采样电路，其特征在于：前述第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管为NMOS场效应晶体管。

4.如权利要求1所述的自举采样电路，其特征在于：前述第一时钟信号与第二时钟信号为互为反向的采样时钟信号。

5.一种自举采样电路，其特征在于：其包括晶体管采样开关，采样开关的源极输入欲采样的输入信号，采样开关的漏极输出采样后的输出信号，该采样开关的栅极连接于一个自举电路，由自举电路驱动采样开关开启，该自举电路包括电容充电电路以及采样开关启动电路，其中电容充电电路在第一时钟信号时对充电电容充电，在第二时钟信号时采样开关启动电路启动采样开关，采样开关的栅极通过采样开关启动电路连接于充电电容的第一端，采样开关的源极连接于采样信号输入端并通过采样开关启动电路连接于充电电容的第二端，则采样开关的栅极与源极的压差为充电电容的充电电压，使采样开关导通电阻为恒定值，实现高线性度采样。

6.如权利要求5所述的自举采样电路，其特征在于：前述电容充电电路包括：

充电电容，其包括第一端与第二端；

第一晶体管，其栅极连接于第一时钟信号，源极连接于电源信号，漏极连接于电路节点；

第二晶体管，其漏极连接于电源信号、源极连接于前述充电电容的第一端、栅极连接于前述电路节点；

第三晶体管，其栅极连接于第二时钟信号，源极接地，漏极连接于充电电容的第二端。

7.如权利要求5所述的自举采样电路，其特征在于：前述采样开关启动电路包括：

第四晶体管，其栅极连接于第一时钟信号，漏极连接于前述电路节点，源极连接于前述充电电容的第二端；

第五晶体管，其栅极连接于前述电路节点，漏极连接于第一时钟信号、源极连接于前述采样开关的栅极；

第六晶体管，其栅极连接于前述采样开关的栅极，漏极连接于采样信号输入端，源极连接于前述充电电容的第二端；

第七晶体管，其栅极连接于前述电路节点，源极连接于前述充电电容的第一端，漏极连接于前述采样开关的栅极。

8.如权利要求6所述的自举采样电路，其特征在于：前述第一晶体管为PMOS场效应晶体管，前述第二晶体管及第三晶体管为NMOS场效应晶体管。

9.如权利要求7所述的自举采样电路，其特征在于：前述第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管为NMOS场效应晶体管，前述第七晶体管为PMOS场效应晶体管。

10.如权利要求5所述的自举采样电路，其特征在于：前述第一时钟信号与第二时钟信号为互为反向的采样时钟信号。