[发明专利]一种PETEOS沉积设备清洗方法有效
| 申请号： | 200910243500.7 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102110583A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 崔晓娟;周华强;徐锋;彭亮;熊炳辉 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 peteos 沉积 设备 清洗 方法 | ||
1.一种PETEOS沉积设备清洗方法，其特征在于，包括：
向PETEOS沉积设备的各反应腔中通入C2F6和O2作为清洗气体，施加射频交流电，对各反应腔依次进行近距离清洗操作和远距离清洗操作，通入的C2F6气体流量为380～420scc；O2的气体流量为475～525scc；
清洗完成后抽空各反应腔内的气体。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在向PETEOS沉积设备的各反应腔中通入C2F6和O2进行近距离清洗操作之前，还包括：
向PETEOS沉积设备的各反应腔中通入C2F6和O2直至稳定的步骤；该步骤中，通入的C2F6气体流量为380～420scc；O2的气体流量为475～525scc，气体通入的时间为5s。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在向PETEOS沉积设备的各反应腔中通入C2F6和O2进行远距离清洗操作之前，还包括：
向PETEOS沉积设备的所有腔体中通入C2F6和O2直至稳定的步骤；该步骤中，C2F6的气体流量为380～420scc；O2的气体流量为475～525scc；气体通入的时间为5s。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对各反应腔进行近距离清洗的时间为25±5s。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对各反应腔进行近距离清洗时施加的射频交流电功率为600W。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对各反应腔进行远距离清洗的时间为35±10s。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对各反应腔进行远距离清洗时施加的射频交流电功率为700W。
8.如权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，还包括：向各腔体中通入O2和TEOS气体，施加射频交流电，在各反应腔的备件表面上沉积保护膜；
抽空各反应腔内的气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
