[发明专利]一种PETEOS沉积设备清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件生产领域，尤其涉及一种PETEOS沉积设备清洗方法。

背景技术

等离子体增强正硅酸乙脂(PETEOS)沉积设备的作用就是用化学反应的方法，在晶片表面沉积薄膜，该设备采用单片式作业方式，即在设备的腔体内工艺完一片晶片后，手臂需要将已工艺好的晶片传出腔体，然后进行腔体的清洗。

清洗腔体的目的主要是为了将PETEOS沉积过程中沉积在腔体壁和备件表面的膜去掉，防止长时间工艺后膜层剥落，产生大量颗粒，导致下一片晶片在工艺过程中会有颗粒生长在PETEOS膜层里，影响膜层的致密性和产品的可靠性。

目前设备的清洗工序一般包括：近距离清洗前通入气体稳定步骤、对各腔体进行近距离清洗操作[也叫局部清洗操作，即圆片基座与showerhead(反应腔内使工艺气体均匀流出的备件)间距为500mils的情况下的清洗操作]、对各腔体进行远距离清洗(也叫全部清洗操作，即圆片基座与showerhead之间间距为999mils的情况下的清洗操作)前通入气体稳定步骤以及对各腔体进行远距离清洗的步骤、抽空各腔体内气体的步骤等。

但是目前设备的清洗工序中存在清洗气体用量较大，工艺时间较长，一般在近距离清洗中C₂F₆气体流量达到700scc，O₂气体流量达到750scc，反应时间为35s左右，使得设备备件损耗过快，往往在工艺了一定数量的晶片之后，就需要更换新的备件，导致设备清洗和设备使用成本较高的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种PETEOS沉积设备清洗方法，用以解决现有清洗工序中清洗气体用量较大导致的设备备件损耗过快的问题。

本发明实施例提供的一种PETEOS沉积设备清洗方法，包括：

向PETEOS沉积设备的各反应腔中通入C₂F₆和O₂作为清洗气体，施加射频交流电，对各反应腔依次进行近距离清洗和远距离清洗，通入的C₂F₆气体流量为380～420scc；O₂的气体流量为475～525scc；

清洗完成后抽空各反应腔内的气体。

本发明实施例的有益效果如下：

本发明实施例提供的PETEOS沉积设备清洗方法，向PETEOS沉积设备的各反应腔中通入C₂F₆和O₂作为清洗气体，施加射频交流电，对各反应腔依次进行近距离清洗和远距离清洗，通入的C₂F₆气体流量为380～420scc；O₂的气体流量为475～525scc；清洗完成后抽空各反应腔内的气体。该清洗方法，能够保证PETEOS设备的清洗质量，并且由于减少了工艺气体的耗费量，降低了成本，同时工艺气体耗费量的减少使得反应腔内备件耗损速度减缓，提高了设备的使用率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的PETEOS沉积设备清洗方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明提供的一种PETEOS沉积设备清洗方法进行详细的说明。

本发明实施例提供的PETEOS沉积设备清洗方法，与现有PETEOS沉积设备清洗步骤大致相同，不同之处在于清洗过程中气体用量大小和反应时间等工艺参数，具体清洗工艺过程如下：

S101、向PETEOS沉积设备中各反应腔内持续通入C₂F₆和O₂直至各反应腔内气体达到稳定的状态；

本步骤S101中，通入C₂F₆气体流量为380～420scc，也就是400scc上下浮动5％；O₂的气体流量为475～525scc，也就是400scc上下浮动5％；

本步骤S101是为下一步近距离清洗进行准备的步骤，在本步骤中，反应腔中的气压稳定在9.5T；通入气体的时间为5s。

S102、向PETEOS沉积设备中各反应腔内持续通入C₂F₆和O₂作为清洗气体，施加射频交流电，对各反应腔进行近距离清洗；

近距离清洗时，圆片基座与showerhead之间的间距为500mils。