[发明专利]砷化镓或锗单晶生长方法有效
| 申请号： | 200910243510.0 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101724886A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 卜俊鹏;于会永 | 申请（专利权）人： | 中科晶电信息材料（北京）有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京双收知识产权代理有限公司 11241 | 代理人： | 左明坤 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 砷化镓 锗单晶 生长 方法 | ||
1.一种砷化镓或锗单晶生长方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)将热解氮化硼坩埚用1200号砂纸修平至无明显台阶，然后将其放入由去离子水、 氨水及双氧水混合的体积比例为2∶1∶1的洗液中浸泡30分钟，之后再将热解氮化硼坩埚用 去离子水洗净；
(2)将热解氮化硼坩埚在180-220℃的真空状态下用烘烤炉烘烤25-33分钟，然后再在 900-1050℃的真空状态下用烘烤炉烘烤30分钟以上；
(3)向热解氮化硼坩埚中充入1atm的高纯氧气，使热解氮化硼坩埚在900-1050℃的烘 烤炉烘烤30分钟以上；
(4)待热解氮化硼坩埚冷却到50℃直接装入干净的多晶料，在2分钟内完成装料，装 料环境温度控制在20-25℃，湿度控制在40％以下；
(5)装料完成后，按传统VGF工艺完成单晶生长。
2.如权利要求1所述的砷化镓或锗单晶生长方法，其特征在于：所述步骤(2)热解氮 化硼坩埚在真空状态下用烘烤炉烘烤的温度为190-200℃，在900-1050℃的真空状态下用烘 烤炉烘烤60分钟。
3.如权利要求2所述的砷化镓或锗单晶生长方法，其特征在于：所述步骤(3)热解氮 化硼坩埚在烘烤炉中烘烤40分钟。
4.如权利要求3所述的砷化镓或锗单晶生长方法，其特征在于：所述步骤(4)在万级 洁净间内进行，其湿度控制在10％以下。
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