[发明专利]一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法及系统

权利要求书

1.一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法，其特征在于，包括：

第一光刻机根据光罩上的集成电路图形对硅片进行第一层曝光，其中，所述光罩上的集成电路图形中包括至少一对测量区域，每对测量区域相互对称，每个测量区域内包括一个基准点及多个测量点；

根据第一层曝光后的硅片上与每个基准点及测量点对应的每个第一曝光点，确定每个测量区域内每个测量点对应的第一曝光点相对基准点对应的第一曝光点的坐标，并且确定每对测量区域的基准点对应的每个第一曝光点在每个方向的坐标差，根据所述每个方向的坐标差，沿每个对应方向移动第二光刻机；

采用移动后的第二光刻机对第一层曝光后的硅片进行第二层曝光，确定第二层曝光后对应每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点在每个方向上的坐标差；

根据确定的所述相互对称的每个测量点在每个方向上的坐标差，确定在每个方向上所述第一光刻机和第二光刻机之间的套刻精度量。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述每个测量区域内在横向方向和纵向方向包含两列测量点列时，所述确定每个测量区域内每个测量点对应的第一曝光点相对基准点对应的第一曝光点的坐标包括：

确定每个测量区域内横向方向的测量点列中每个测量点对应的第一曝光点，与基准点对应的第一曝光点之间的纵向第一垂直距离；并

确定每个测量区域内纵向方向的测量点列中每个测量点对应的第一曝光点，与基准点对应的第一曝光点之间的横向第一垂直距离。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定第二层曝光后对应每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点在每个方向上的坐标差包括：

根据第二层曝光后每个测量区域内横向方向的测量点列中每个测量点对应的第二曝光点，及第一层曝光时每个测量区域内横向方向的测量点列中每个测量点对应的第一曝光点，确定每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点在纵向方向上的距离差；并

根据第二层曝光后每个测量区域内纵向方向的测量点列中每个测量点对应的第二曝光点，及第一层曝光时每个测量区域内纵向方向的测量点列中每个测量点对应的第一曝光点，确定每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点在横向方向上的距离差。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定在每个方向上所述第一光刻机和第二光刻机之间的套刻精度量包括：

根据确定的相互对称的每个测量点列对应的第一曝光点和第二曝光点在横向方向上的坐标差，以及所述每对测量区域内横向方向的测量点列中每个测量点对应的横向第一垂直距离的差值，确定横向方向的套刻精度量；并

根据确定的相互对称的每个测量点列对应的第一曝光点和第二曝光点在纵向方向上的坐标差，以及所述每对测量区域内纵向方向的测量点列中每个测量点对应的纵向第一垂直距离的差值，确定纵向方向的套刻精度量。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定对应每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点在每个方向上的坐标差包括：

采用激光分步校准LSA扫描的测量方法，获取每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点在每个方向上的坐标差。

6.一种确定光刻机之间套刻精度匹配的系统，其特征在于，所述系统包括：

第一光刻机，用于根据光罩上的集成电路图形对硅片进行第一层曝光，其中，所述光罩上的集成电路图形中包括至少一对测量区域，每对测量区域相互对称，每个测量区域内包括一个基准点及多个测量点；

测量装置，用于根据第一层曝光后的硅片上与每个基准点及测量点对应的每个第一曝光点，确定每个测量区域内每个测量点对应的第一曝光点相对基准点对应的第一曝光点的坐标；

控制装置，用于确定每对测量区域的基准点对应的每个第一曝光点在每个方向的坐标差，根据所述每个方向的坐标差，沿每个对应方向移动第二光刻机；

第二光刻机，用于对第一层曝光后的硅片进行第二层曝光；

确定装置，用于确定第二层曝光后对应每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点在每个方向上的坐标差，根据所述相互对称的每个测量点在每个方向上的坐标差，确定在每个方向上所述第一光刻机和第二光刻机之间的套刻精度量。